硅片清洗

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一种电解法清洗硅片的设计
《技术与市场》2021年第8期41-42,共2页乔旭 马帅 张亮 王超 付苗苗 
结合西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司的生产实际,介绍、设计了一套通过电解的方式清洗半导体芯片在扩散过程中产生的磷硅、硼硅玻璃杂质,为半导体芯片清洗提供一个方法和思路。
关键词：半导体设备 硅片清洗 电解方法 
硅片清洗自动上料机械手设计被引量：1
《中国设备工程》2020年第22期95-98,共4页姚明勇 
针对脱胶后的硅片在进行清洗前的分装、搬运、上料到清洗机设备的整个过程都需要人工作业,为避免对硅片造成二次污染和损伤。为确保清洗前能顺利分片整个过程都是在水质环境中进行,常年操作员的手浸泡损伤较大。单体硅片载体治具重量约2...
关键词：硅片 脱胶 清洗 上料 机械手 
硅片清洗技术及发展被引量：6
《天津科技》2019年第6期66-67,共2页胡雅倩 
在半导体硅片加工工序中,清洗是极其重要的一步,硅片的洁净与否,将直接决定后续产品性能。通过论述目前硅片化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响,针对硅片清洗工艺中存在...
关键词：硅片 清洗 RCA 超声波 兆声波 
几种基于PLC的硅片清洗设备流量控制方法被引量：2
《电子技术应用》2018年第4期69-72,76,共5页李文杰 李冬梅 
国家科技重大专项资助项目(2013ZX02103)
主要讲述了在半导体硅片清洗设备中常用的几种流量控制方法,主要包括工艺腔室和药液配比的流量控制,然后根据不同应用场景提出了对应使用的控制方法。单腔室硅片清洗机直接采用流量作为反馈信号进行闭环控制,通过控制喷洒和返回管路开...
关键词：硅片清洗 流量控制 药液配比 PLC 
去除硅片背面金属污染的方法研究被引量：3
《集成电路应用》2016年第7期25-28,共4页陈菊英 
电路的集成度日益提高,单元图形的尺寸日益微化,污染物对器件的影响也愈加突出,以至于洁净表面的制备已成为超亚微米的关键技术。人们普遍对外来污染、硅片的正面污染非常警觉。在生产线上FEOL区间,一些来自上工序的硅片背面污染,会对...
关键词：金属污染 硅片清洗 ICP-MS FEOL BEOL 
光伏企业硅片清洗废水处理工程实例被引量：5
《工业水处理》2015年第12期90-92,共3页刘倩倩 王玉玲 王丽 齐伟 
采用混凝沉淀—UASB—A/O处理系统—二次沉淀工艺对光伏企业硅片清洗废水进行处理,介绍了工程设计参数、UASB厌氧反应器和A/O处理单元的启动过程及处理工程运行情况。运行结果表明:出水COD、SS、分别为117、71 mg/L,去除率分别为95.4%、...
关键词：光伏企业 硅片清洗废水 上流式厌氧污泥床反应器 A/O处理系统 
用于硅片清洗高浓度臭氧水产生设备研制被引量：1
《电子工业专用设备》2015年第6期20-24,共5页白敏菂 
国家自然科学基金资助项目(61371027);交通运输部科技项目(2012-329-225-080);辽宁省科学研究一般项目(L2012449);大连市科技计划项目(2013E12SF067)
由于高浓度臭氧水的氧化电位高达2.07 V、反应速率常数高达2.2×106 L/(mol·s),因而臭氧水具有无选择性快速(几秒钟)氧化分解有机污染;并能在几分钟时间内完成硅片清洗、光刻、刻蚀和成膜。采用强电场电离放电把氧离解成高浓度O3,再用...
关键词：产生臭氧水设备 强电离放电 臭氧水溶液 硅片清洗应用 
高浓度臭氧超净水制备及在硅片清洗中的应用被引量：1
《半导体技术》2015年第9期671-674,691,共5页白敏菂 
国家自然科学基金资助项目(61371027)
利用自主研发强电离放电的臭氧超净水产生系统,采用强电场电离放电把氧激发、电离,电离离解成O,O-,O+,O(1D)和O2(a1Δg)等活性粒子,它们进一步反应形成高浓度气态O3,再用强激励方法把气态O3高效率溶于超净水中形成高浓度臭氧超净水。实...
关键词：强电离放电 臭氧 臭氧超净水 硅片 清洗 
多晶硅片清洗制绒均匀性的研究
《通信电源技术》2014年第1期51-52,56,共3页杨飞飞 张欣 王森涛 贾彦科 
根据多晶硅片的结构特点,对多晶硅片的绒面制备工艺进行优化,在达到减反射效果的同时,改善了电池片的色差情况,同时保证了电池片的转换效率。
关键词：多晶硅 清洗制绒 反射率 少子寿命 
硅片清洗助手
《现代制造》2013年第17期9-9,共1页
硅片生产好之后，为了便于运输，它们会被装在晶片承载器中。这里提到的装置是用来清洗这些硅片承载器的。
关键词：硅片清洗 承载 晶片 
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