张世权

作品数：5被引量：8H指数：2
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发文主题：光刻PECVD法氮化硅薄膜氨气硅烷更多>>
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多晶电阻工艺监控与影响因素研究
《电子与封装》2015年第5期33-35,40,共4页张世权 马慧红 吴晓鸫 
首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块(PCM)监控的两种方法:四探针法和范德堡法,并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题;针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题,通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大,通过对多晶淀积...
关键词：多晶电阻 晶粒 淀积速率 四探针法测试电阻 
RRC工艺涂胶胶厚均匀性优化研究被引量：2
《电子与封装》2014年第8期42-44,共3页江月艳 张世权 
为降低涂胶工序的生产成本,减少光刻胶的用量,需要在涂胶工艺上不断改进和提高。从原来传统的涂胶工艺到RRC(Reduced Resist Consumption)工艺,能够使光刻胶的用量减少,而随着光刻胶用量的减少,圆片上胶厚的均匀性也在发生剧烈的变化。...
关键词：光刻 涂胶 均匀性 RRC 
PECVD法氮化硅薄膜制备工艺的研究被引量：5
《电子与封装》2013年第11期40-43,共4页汪文君 孙建洁 朱赛宁 张世权 
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在单晶硅衬底上制备了氮化硅薄膜,分别使用膜厚仪、椭圆偏振仪等手段对薄膜的厚度、折射率等参数进行了表征。研究了硅烷氨气流量比、极板间距等工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响,发现当硅烷氨气...
关键词：等离子体增强化学气相沉积法 氮化硅薄膜 硅烷氨气流量比 退火 
不同衬底材料对光刻胶剖面的影响被引量：1
《电子与封装》2013年第8期37-39,共3页张世权 朱斌 顾霞 
文章研究了在127 mm硅片上分别生长金属铝和二氧化硅氮化硅叠两种IC常用材料作为衬底对光刻胶形貌的影响,其造成光刻胶形貌差的原因是金属底部反射率高导致光刻胶侧面曝光和入射光通过二氧化硅氮化硅叠层厚度的光程差正好为光源波长的...
关键词：光刻胶剖面 抗反射层 薄膜厚度 
台阶处光刻工艺的优化与研究
《电子与封装》2013年第6期21-23,共3页贺琪 张世权 刘国柱 
光刻胶剖面形貌和关键尺寸(CD)是光刻工艺的关键参数,而实际光刻工艺中受到前层次图形的影响,尤其是后端布线工艺受到前面工序高低台阶影响十分严重。文章基于光学干涉原理及King的胶厚理论模型和光刻胶Swing Curve曲线研究了光刻胶跨...
关键词：台阶 光刻胶厚度 CD差异 抗反射层 
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