顾霞

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：衬底材料薄膜厚度光刻胶剖面发花更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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不同衬底材料对光刻胶剖面的影响被引量：1
《电子与封装》2013年第8期37-39,共3页张世权 朱斌 顾霞 
文章研究了在127 mm硅片上分别生长金属铝和二氧化硅氮化硅叠两种IC常用材料作为衬底对光刻胶形貌的影响,其造成光刻胶形貌差的原因是金属底部反射率高导致光刻胶侧面曝光和入射光通过二氧化硅氮化硅叠层厚度的光程差正好为光源波长的...
关键词：光刻胶剖面 抗反射层 薄膜厚度 
“场发花”现象研究
《电子与封装》2007年第12期38-41,共4页寇春梅 顾霞 
随着半导体技术的不断发展,特征尺寸也不断缩小,光刻对条宽的控制能力在整个半导体技术中显得十分重要,而场发花现象对光刻来说是个较为严重的质量问题,它严重影响了光刻对条宽的控制能力,同时还造成硅片的大量返工,使生产成本增加、产...
关键词：场发花 工艺窗口 化学机械抛光 
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