低压化学气相淀积设备使用与维护技术  

作　　者：谭刚[1] 吴嘉丽[1] 李仁锋[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院电子工程研究所传感器研究中心,四川绵阳621900

出　　处：《设备管理与维修》2005年第S1期189-192,共4页Plant Maintenance Engineering

摘　　要：LPCVD 是大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)以及半导体光电器件工艺领域里的主要工艺之一。PCVD 技术可以提高淀积薄膜的质量,使膜层具有均匀性好、缺陷密度低、台阶覆盖性好等优点,成为制备 Si_3N_4薄膜的主要方法。热壁 LPCVD 设备使用过程中出现薄膜的淀积速率、薄膜的均匀性、片内均匀性、片间均匀性不理想等问题,提出解决办法。

关 键 词：淀积 POLY 硅片 石英舟 淀积速率 LPCVD 设备使用 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]