如何运用建中L42812-1/ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100 /min的致密SiO_2膜层  

How to Use Beijing Jianzhong L42812-1/ZM PECVD to Deposit Compact SiO2 Film which the Deposition Rate is below 100/min

作　　者：杨彦伟 

机构地区：[1]深圳飞通光电股份有限公司

出　　处：《深圳特区科技》2005年第11期60-64,共5页Shenzhen Science & Technology

摘　　要：本文主要通过对 PECVD 淀积 SiO_2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析,并通过具体的工艺试验,最终得出了运用建中 L4281 2-1/ZM 型平板单室 PECVD 淀积生长速率低于100(?)/min 的致密 SiO_2膜层的最佳工艺条件。

关 键 词：等离子增强化学气相淀积(PECVD) SiO2膜层 湿氧退火 淀积速率 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学] TB43[一般工业技术]