LPCVD多晶硅工艺技术研究  

作　　者：简崇玺[1] 高博[1] 

机构地区：[1]北方通用电子集团有限公司微电子部,蚌埠233042

出　　处：《集成电路通讯》2012年第1期36-39,共4页

摘　　要：多晶硅薄膜在电学、力学、光学方面具有很多优良特性，已被广泛应用于半导体集成电路和MEMS器件制造等领域。LPCVD系统的腔室反应压力、淀积温度、气体流量等条件对多晶硅薄膜的淀积速率、均匀性及质量有着显著的影响，通过对工艺条件的分析优化，可制备出高质量的多晶硅薄膜。

关 键 词：LPCVD 多晶硅薄膜 淀积速率 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]