刘燕

作品数：4被引量：4H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：硅电阻率区熔少子寿命FZ更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子工业专用设备》更多>>
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消除区熔硅单晶生长中“硅刺”的研究
《电子工业专用设备》2012年第5期32-34,52,共4页刘燕 
在无位错FZ硅单晶生长过程中,长"硅刺"是一种对单晶生长十分有害且常见的现象。单晶生长过程中一旦出现"硅刺",如不能及时消除,会导致中途停炉,不仅浪费原料,而且影响生产,因此,如何减少和消除硅刺,是FZ单晶拉制中,需要着重解决的问题。...
关键词：区熔 线圈 硅刺 
杂质分凝对FZ-Si单晶电阻率均匀性影响的研究被引量：4
《半导体技术》2009年第4期320-323,共4页刘洪飞 索开南 董军恒 刘燕 刘洪 高岗 
对区熔Si单晶样品的轴向、径向以及生长界面的电阻率进行了测试,分析了影响电阻率均匀性的主要因素。结果表明,通常认为的影响电阻率均匀性的因素,并不是决定性因素。本文从FZ单晶在生长过程中,杂质在轴向和侧向分凝的角度进行分析,认...
关键词：FZ硅 电阻率 均匀性 杂质分凝 轴向和径向 
真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化
《半导体技术》2008年第S1期284-286,共3页索开南 闫萍 张殿朝 庞炳远 刘燕 董军恒 
介绍了生长电阻率1×104～2×104Ω.cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30～40mm的低寿命区,之后随...
关键词：真空 区熔 少子寿命 漩涡 位错 
气相掺杂FZ单晶电阻率的控制
《半导体技术》2008年第S1期287-289,293,共4页刘洪飞 刘燕 董军恒 
主要介绍了用气相掺杂的方法制备FZ单晶的基本技术条件和设计思路。采用此技术可使气相掺杂时既快速准确地实现目标电阻率。对单晶的轴向及径向电阻率均匀性进行调整,提高了气相掺杂FZ硅单晶的成品率。
关键词：气相掺杂 电阻率 区熔单晶 
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