刘洪

作品数：6被引量：6H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：FZ区熔硅单晶硅单晶区熔电阻率更多>>
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发文期刊：《电子工业专用设备》《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
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旋转工艺对高阻区熔硅单晶研制的影响
《微纳电子技术》2016年第9期630-633,共4页庞炳远 闫萍 刘洪 
采用区熔工艺对多次真空提纯后的多晶硅进行了n型高阻硅单晶生长。真空提纯时,通过对工艺参数的精确控制,稳步提升了晶体的纯度和电阻率。单晶生长时,对比分析了常规旋转工艺和正反转旋转工艺两种生长方式对单晶径向电阻率分布的影响,...
关键词：旋转工艺 区熔(FZ) 硅单晶 高阻 高均匀性 
真空提纯对n型高阻区熔硅单晶研制的影响被引量：1
《微纳电子技术》2015年第10期676-680,共5页庞炳远 闫萍 刘洪 
采用真空提纯工艺对棒状多晶硅原料进行了区熔(FZ)提纯,之后对提纯后的多晶硅进行单晶生长。通过检测每次提纯后的多晶硅和最终生长成的硅单晶的电阻率变化,得到了真空提纯工艺对电阻率变化的影响规律。之后,通过计算得到了原料中主要...
关键词：真空提纯 N型 高阻 硅单晶 区熔(FZ) 
直拉区熔联合法硅单晶生长技术研究
《电子工业专用设备》2014年第8期11-14,共4页庞炳远 闫萍 索开南 董军恒 刘洪 
通过直拉工艺生长直径60 mm的N型〈100〉单晶,之后以该单晶作为原料,采用区熔工艺生长成50mm（2英寸）N型〈111〉单晶,单晶的电阻率为2.71～5.35Ω·cm,少子寿命为500～750 μs,氧碳含量均低于1×16 cm-3.实验表明,通过直拉工艺和区熔...
关键词：直拉 区熔 硅单晶 电阻率 
影响区熔硅单晶电阻率均匀性的主要因素被引量：2
《电子工业专用设备》2012年第8期4-6,共3页刘洪 
通过对弯曲的结晶界面的研究,分析其对分凝系数、分凝方向及界面杂质分布的影响;通过改变拉晶参数以改变结晶界面的弯曲程度,减小分凝系数的变化及径向分凝的强度。分析影响电阻率均匀性的主要因素,改变其生产工艺。
关键词：FZ单晶 结晶界面 径向分凝 
区熔单晶生长过程中高频线圈形变的原因分析及理论计算
《电子工业专用设备》2012年第10期40-42,共3页刘洪 
主要针对高频线圈于单晶生长过程中,在高频电流及棒体的高温作用下,产生的附加扭矩,改变线圈的设计外形,进行了原因研究、理论计算,并对单晶生长的影响进行了分析。通过采取适当的措施,降低由于线圈的形变对单晶的影响,提高单晶的成晶率。
关键词：高频线圈 附加扭矩 区熔单晶 
杂质分凝对FZ-Si单晶电阻率均匀性影响的研究被引量：4
《半导体技术》2009年第4期320-323,共4页刘洪飞 索开南 董军恒 刘燕 刘洪 高岗 
对区熔Si单晶样品的轴向、径向以及生长界面的电阻率进行了测试,分析了影响电阻率均匀性的主要因素。结果表明,通常认为的影响电阻率均匀性的因素,并不是决定性因素。本文从FZ单晶在生长过程中,杂质在轴向和侧向分凝的角度进行分析,认...
关键词：FZ硅 电阻率 均匀性 杂质分凝 轴向和径向 
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