N型

作品数：1672被引量：3609H指数：17
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硅掺杂对不同衬底的氮化铝薄膜的影响研究
《原子与分子物理学报》2025年第5期50-56,共7页王绪 杨发顺 熊倩 周柳含 马奎 
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-01)。
选择硅作为N型杂质源,采用高温热扩散的方式进行实验研究.采用磁控溅射法在硅/蓝宝石衬底上外延的AlN薄膜上沉积纯硅.硅的溅射时间决定了硅层的厚度,从而决定了硅的掺杂剂量.在氮气气氛下高温(1150℃)热扩散4小时后,AlN薄膜表面的硅原...
关键词：N型氮化铝 硅掺杂 磁控溅射 热扩散 衬底反扩散 
高压制备n型碲化铋基多孔材料及其热电性能优化
《沈阳理工大学学报》2025年第3期67-72,共6页单蕾佳 李苗 丁战辉 周悦 佘雅琪 王宇轩 李永峰 姚斌 
吉林省自然科学基金项目(20240101327JC);国家自然科学基金项目(12274304)。
碲化铋(Bi2Te3)基复合材料是目前热电性能最好的近室温热电材料,然而n型Bi2(Se,Te)3块材的热电优值(zT值)滞后于p型(Bi,Sb)2Te3材料,进一步提升n型Bi2Te3基复合材料的zT值对热电器件的发展和应用至关重要。本研究以氯化钾(KCl)为造孔剂...
关键词：热电材料 热电性能 BI2TE3 多孔结构 高压高温 
一类Hénon型Choquard方程组在R^(3)空间中的Liouville定理
《数学学报(中文版)》2025年第2期290-303,共14页何海洋 李肖 
湖南省自然科学基金(2022JJ30366);国家自然科学基金(12371202)。
本文中,我们研究一类如下Hénon型Choquard方程组{-Δu=∫_(R^(4))|x|^(a)|y|^(a)v^(p)(y)/|x-y|^(3-μ)dy·v^(p-1)在R^(3)中∫_(R^(4))|x|^(a)|y|^(a)v^(p)(y)/|x-y|^(3-μ)dy·v^(q-1)在R^(3)中,正解的不存在性,其中0<μ<3,α>0.我...
关键词：Choquard方程 Hénon型 LIOUVILLE定理 POHOZAEV恒等式 
一种灵敏度提高的垂直型霍尔器件及仿真模型
《固体电子学研究与进展》2025年第2期92-96,共5页王双喜 李建强 李良 周林 李杰林 徐跃 
国家自然科学基金资助项目(62171233);中国电子学会-智芯科研专项项目(20220370-0090);江苏省研究生科研与实践创新计划项目(SJCX23_0298)。
基于180 nm BCD工艺实现了一种灵敏度提高的五孔垂直型霍尔器件(Five-contact vertical Hall-effect device,FCVHD)。采用掺杂浓度较低且阱深较深的N型漂移区(N-type drift region,NDRF)作为器件有源区,并在器件表面的N~+接触孔之间进行...
关键词：五孔垂直型霍尔器件(FCVHD) N型漂移区(NDRF) 仿真模型 电流相关灵敏度 
具有N型赝埋层的新型SiGe-HBT器件及应用研究
《固体电子学研究与进展》2025年第2期97-100,共4页刘冬华 陈曦 钱文生 
提出了一种新型锗硅异质结双极晶体管(Germanium silicon heterojunction bipolar transistor,SiGe-HBT)结构,摒弃了传统SiGe-HBT中的深隔离沟槽、N型埋层以及通过外延生长形成的集电区。通过在浅隔离槽底部采用离子注入技术形成N型赝埋...
关键词：N型赝埋层 锗硅异质结双极晶体管 深接触孔 
基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模
《半导体技术》2025年第4期339-344,共6页王悦杨 马英杰 白永林 吴佳颖 廉浩哲 唐敏 刘伟景 
对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过...
关键词：核壳结构 纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型 SPICE建模 
p-on-n型碲镉汞小间距探测器研究
《激光与红外》2025年第3期395-398,共4页王鑫 刘世光 张轶 赵旭豪 王娇 
p-on-n结构的碲镉汞红外探测器芯片的暗电流低、少子寿命长,是目前高性能红外探测器的主流发展方向,同时,为了满足未来红外探测器小型化的发展需求,本文主要针对p-on-n型长波10μm像元间距1280×1024探测器芯片进行了研究,采用了p-on-n...
关键词：碲镉汞 10μm间距 p-on-n 异质结 
载流子浓度优化与动态掺杂提高n型PbS宽温域的热电性能被引量：1
《科学通报》2025年第6期737-745,共9页侯正浩 崔秋娟 钱鑫 王淑芳 
国家自然科学基金(52102234);河北省自然科学基金(E2024106001);河北省教育厅科学研究项目(QN2024263);石家庄学院博士科研启动基金(22BS006);河北省光电信息材料重点实验室补助经费(22567634H)资助。
硫化铅(PbS)基热电材料因其组成元素储量丰富、价格低廉、热稳定性高等优势而备受研究人员关注.目前关于PbS的研究主要聚焦于通过元素重掺杂提高其载流子浓度,以获得优良的中高温热电性能.然而,这种方法导致PbS近室温热电性能较差,严重...
关键词：热电材料 n型PbS 载流子浓度 动态掺杂 ZT值 
n型硒化锡晶体热电材料研究进展被引量：1
《科学通报》2025年第6期655-664,共10页宿力中 冯孝坤 
太原科技大学引进人才科研启动基金(20232094);山西省优秀来晋博士科研资助项目(20242010)资助。
构建高性能热电器件需要拥有性能相匹配的高性能p型与n型热电材料.硒化锡(SnSe)晶体因其优异的热电性能引起了热电领域的广泛关注.当前,p型SnSe晶体在300~773 K可取得~2.2的平均无量纲热电优值(ZT_(ave)),300 K时ZT可达~1.5;n型SnSe晶体...
关键词：热电材料 晶体 层状结构 相变材料 n型硒化锡 
n型碲化铋基热电材料、器件及应用被引量：1
《科学通报》2025年第6期674-684,共11页彭佳怡 刘东锐 秦炳超 裴延玲 
国家杰出青年科学基金(51925101);国家自然科学基金(52450001,52371090);科学探索奖、博士后创新人才支持计划(BX20230456);中国博士后科学基金(2024M754057);航空发动机及燃气轮机基础科学中心重大项目(P2021-A-IV-001-003)资助。
碲化铋(Bi_(2)Te_(3))基热电材料,作为目前唯一商业化应用的热电材料体系,在近室温区内表现出优异的热电性能,在低品位温差发电和热电半导体制冷方面具有独特的优势,广泛应用于深空探测电源、5G通信、激光制冷、消费电子、医疗器械等关...
关键词：热电技术 n型碲化铋 热电器件 热电性能 力学性能 
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