区熔炉

作品数:9被引量:6H指数:2
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悬浮区熔炉线圈后狭缝倾角对电磁场的影响
《半导体技术》2023年第3期262-267,共6页郑万超 李聪 冯旭 李明佳 
为提高悬浮区熔(FZ)法的成品率,使用模拟计算软件研究了FZ硅单晶的生长过程。通过Comsol Multiphysics软件模拟了FZ炉线圈产生的电磁场,分析了线圈后狭缝倾角对电磁场的影响。随着线圈后狭缝倾角的增加,线圈台阶处和线圈底面坡面处的后...
关键词:悬浮区熔(FZ)硅 线圈 后狭缝倾角 电磁场 熔化的多晶硅表面 熔体自由表面 
真空电子束悬浮区熔炉的研制被引量:2
《真空》2015年第4期46-49,共4页张延宾 郑侠 孙照富 尹中荣 
介绍了真空电子束区熔炉技术性能、区熔原理、设备结构及特点。该设备是国内第一台国产化的电子束区熔炉,能够对最大尺寸为φ30mm×1000mm的难熔金属及其合金棒料进行悬浮区域熔炼提纯,而且可以进行难熔金属及其合金单晶的制备工艺。该...
关键词:真空 电子束 悬浮区熔 难熔金属 
反射环对区熔炉温度场的影响被引量:1
《机电工程》2014年第1期62-66,共5页傅林坚 曹建伟 沈文杰 朱亮 张俊 石刚 欧阳鹏根 叶欣 邱敏秀 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02706-005)
针对悬浮区熔法生长较大直径的单晶硅时,单晶硅外部的轴向温度梯度比内部温度梯度大很多,从而导致硅单晶径向电阻率不均匀及生长裂纹的问题。通过有限元法对生长区熔硅单晶的温度场进行了数值模拟,建立了有反射环和无反射环的两种模型,...
关键词:悬浮区熔法 反射环 数值模拟 温度场 
高频加热线圈台阶对区熔炉磁场的影响被引量:2
《机电工程》2013年第11期1397-1400,共4页曹建伟 傅林坚 沈文杰 朱亮 张俊 石刚 欧阳鹏根 叶欣 邱敏秀 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02706)
区熔法是生长单晶硅的重要方法之一,针对区熔法生长单晶硅过程因多晶硅熔化表面热量不均匀而出现"冷针"的问题,利用有限元法对生长区熔硅单晶进行了数值模拟。区熔法生长单晶硅采用高频感应加热,高频加热线圈是区熔炉最为关键的部件之一...
关键词:区熔法 线圈台阶 数值模拟 
生长系统对高阻区熔硅单晶径向电阻率变化的影响被引量:2
《电子工业专用设备》2011年第9期11-13,38,共4页闫萍 索开南 庞炳远 
分别采用L4375-ZE区熔炉和CFG/1400P区熔炉,生长了N型、(1.5~4.5)×103Ω.cm和P型、(1.0~5.0)×104Ω.cm两种规格的高阻区熔硅单晶,单晶的直径为52~54 mm,晶向为<111>。经对单晶的电阻率及其径向分布进行检测对比后发现,在加热线圈...
关键词:区熔炉 高阻 硅单晶 电阻率径向分布 
在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶
《四川有色金属》1998年第3期16-19,共4页魏斌 王炎 
高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条...
关键词:区熔硅单晶 区熔炉 半导体  
Fz115型区熔炉的设计及特点
《有色设备》1997年第4期11-14,共4页陈应斗 
Fz115型区熔炉是八十年代末设计用于生产区熔单晶硅,有八十年代初国际先进水平的炉子。本文着重介绍该炉的技术性能,主要机构的设计,动作原理及其结构特点等。
关键词:单晶硅 区熔炉 晶体夹持器 
区熔炉简易数显恒温控制装置
《哈尔滨师范大学自然科学学报》1996年第2期22-24,共3页李将禄 张伟光 冀士学 郑金崴 
本恒温控制装置采用价格低廉的运算放大器和三位半数字电压表专用集成电路,具有较高的控温精度,经4年的使用对半导体区熔炉的控温效果良好。
关键词:半导体 致冷材料 温度控制装置 区熔 电炉 
TDG—28型大直径区熔单晶炉
《东方电气评论》1990年第4期270-273,269,共5页盛耀昌 
本文介绍了TDG-28型大直径区熔单晶炉的主要技术指标和性能特点。该炉在一定的工艺条件下可以稳定生产直径为75mm~100mm的高阻率无位错单晶硅。由于采用铸铁件结构使该设备具有一定的防震吸震能力,故无需安装庞大的减震器防震基座。在...
关键词:区熔炉 单晶炉 大直径 冶金炉 
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