区熔硅单晶

作品数：34被引量：10H指数：2
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线圈结构对区熔硅单晶生长影响的数值模拟分析
《中文科技期刊数据库(引文版)工程技术》2020年第5期00296-00297,共2页安艳清 张雪囡 
为了研究大直径区熔硅单晶,需要对单晶生长过程中的关键参数如电磁场、温度梯度等进行合理设计,以实现大直径硅单晶的稳定生长。本文设计了一种新型的台阶线圈结构,通过数值仿真软件COMSOL进行分析,进而得知采用台阶结构的加热线圈可以...
关键词：区熔硅 集肤效应 电磁感应 线圈 
区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素
《电子工业专用设备》2018年第5期50-54,共5页邢友翠 闫萍 刘玉岭 李万策 
因生长时工艺条件的不同,区熔硅单晶中的微缺陷类型及分布会呈现出不同的变化。对单晶生长工艺中影响缺陷形成的相关因素进行了分析,并给出了不同工艺条件下单晶中漩涡缺陷的宏观分布状态以及所对应缺陷的微观形貌。单晶生长实验结果表...
关键词：区熔工艺 硅单晶 漩涡缺陷 
旋转工艺对高阻区熔硅单晶研制的影响
《微纳电子技术》2016年第9期630-633,共4页庞炳远 闫萍 刘洪 
采用区熔工艺对多次真空提纯后的多晶硅进行了n型高阻硅单晶生长。真空提纯时,通过对工艺参数的精确控制,稳步提升了晶体的纯度和电阻率。单晶生长时,对比分析了常规旋转工艺和正反转旋转工艺两种生长方式对单晶径向电阻率分布的影响,...
关键词：旋转工艺 区熔(FZ) 硅单晶 高阻 高均匀性 
真空提纯对n型高阻区熔硅单晶研制的影响被引量：1
《微纳电子技术》2015年第10期676-680,共5页庞炳远 闫萍 刘洪 
采用真空提纯工艺对棒状多晶硅原料进行了区熔(FZ)提纯,之后对提纯后的多晶硅进行单晶生长。通过检测每次提纯后的多晶硅和最终生长成的硅单晶的电阻率变化,得到了真空提纯工艺对电阻率变化的影响规律。之后,通过计算得到了原料中主要...
关键词：真空提纯 N型 高阻 硅单晶 区熔(FZ) 
区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算被引量：1
《人工晶体学报》2013年第3期456-460,共5页曲翔 陈海滨 方锋 汪丽都 周旗钢 闫志瑞 
硅材料设备应用工程(41091)
气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法。本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件...
关键词：气相掺杂 区熔硅单晶 电阻率 
影响区熔硅单晶电阻率均匀性的主要因素被引量：2
《电子工业专用设备》2012年第8期4-6,共3页刘洪 
通过对弯曲的结晶界面的研究,分析其对分凝系数、分凝方向及界面杂质分布的影响;通过改变拉晶参数以改变结晶界面的弯曲程度,减小分凝系数的变化及径向分凝的强度。分析影响电阻率均匀性的主要因素,改变其生产工艺。
关键词：FZ单晶 结晶界面 径向分凝 
8英寸大直径区熔硅单晶在津投入试生产
《有色设备》2012年第4期67-67,共1页
天津中环半导体公司最新研制开发的国内首颗8英寸大直径区熔硅单晶投入试生产。其产品质量和工艺技术达到国际先进水平，并使之形成从节能材料到硅片、芯片制造的垂直整合能力和完整产业链。
关键词：区熔硅单晶 试生产 大直径 半导体公司 产品质量 节能材料 垂直整合 芯片制造 
国内首颗8英寸区熔硅单晶问世
《半导体信息》2012年第1期21-21,共1页江兴 
中环半导体股份有限公司近日公布了三项新产品:国内首颗8英寸区熔硅单晶、直拉区熔高效太阳能电池用硅单晶和8英寸〈110〉晶向直拉硅单晶。据介绍,目前这三项新产品已相继从实验室走向应用阶段;公司还希望凭借直拉区熔技术进军高效太阳...
关键词：硅单晶 区熔法 中环股份 半导体器件 单晶材料 晶向 半导体硅 应用领域 方法工艺 电子领域 
生长系统对高阻区熔硅单晶径向电阻率变化的影响被引量：2
《电子工业专用设备》2011年第9期11-13,38,共4页闫萍 索开南 庞炳远 
分别采用L4375-ZE区熔炉和CFG/1400P区熔炉,生长了N型、(1.5～4.5)×103Ω.cm和P型、(1.0～5.0)×104Ω.cm两种规格的高阻区熔硅单晶,单晶的直径为52～54 mm,晶向为<111>。经对单晶的电阻率及其径向分布进行检测对比后发现,在加热线圈...
关键词：区熔炉 高阻 硅单晶 电阻率径向分布 
区熔硅单晶掺杂技术概述被引量：1
《电子工业专用设备》2011年第5期52-54,共3页庞炳远 
区熔硅单晶是制作电力电子器件的主要原材料,高质量的电力电子器件的发展对区熔硅单晶的高完整性、高纯度、高均匀性及大直径化提出了较高的要求。随着电力电子器件快速发展,市场需求急剧增加,为了深入的研究并应用掺杂技术,对几种掺杂...
关键词：区熔 硅单晶 掺杂 
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