王炎

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在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶
《四川有色金属》1998年第3期16-19,共4页魏斌 王炎 
高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条...
关键词：区熔硅单晶 区熔炉 半导体 硅 
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