在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶  

作　　者：魏斌[1] 王炎[1] 

机构地区：[1]峨嵋半导体材料厂,所,峨眉山市614200

出　　处：《四川有色金属》1998年第3期16-19,共4页Sichuan Nonferrous Metals

摘　　要：高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上拉制φ101mm.区熔硅单晶.填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心.

关 键 词：区熔硅单晶 区熔炉 半导体 硅 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]