真空区熔硅单晶生长技术研究  

作　　者：张殿朝[1] 闫萍[1] 索开南[1] 庞炳远[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第46研究所,天津300220

出　　处：《天津科技》2010年第2期4-5,共2页Tianjin Science & Technology

摘　　要：对φ30mm、<111>晶向真空区熔硅单晶生长关键技术特点进行了分析,针对单晶生长过程中容易发生晶变的问题,从熔区受力、热场设计、结晶动力学等方面进行研究,理论联系实践,优化工艺参数,对如何提高熔区稳定性及结晶驱动力,提出了有效的解决措施,提高了真空区熔硅单晶的成品率。

关 键 词：〈111〉晶向 真空单晶 成晶率 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]