窦连水

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：硅晶片硅单晶片电阻率粗糙度超薄更多>>
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硅晶片电阻率测量技术的研究被引量：2
《电子工业专用设备》2018年第5期45-49,共5页秦伟亮 常耀辉 戚红英 窦连水 
分析了硅晶片电阻率测试的重要性并介绍了国内外常用的电阻率测试方法,并对使用最广泛的工艺检测手段-四探针技术的原理、测准条件及发展状况进行了详细的介绍。
关键词：硅单晶片 电阻率 四探针测试法 
化学腐蚀对超薄锗片机械强度的影响
《电子工业专用设备》2011年第11期15-17,共3页窦连水 刘晓伟 
随着锗太阳能光伏产业的发展,锗抛光片得到了广泛的应用。机械强度对锗衬底抛光片的质量和成品率有着重要的影响,采用化学腐蚀工艺,通过酸碱腐蚀实验的开展以及腐蚀温度、腐蚀液配比的控制,确立了提高锗单晶片机械强度的化学腐蚀工艺,...
关键词：化学腐蚀 机械强度 超薄锗片 
磨削工艺对Ge单晶抛光片的影响
《电子工业专用设备》2010年第5期22-25,共4页吕菲 赵权 刘春香 窦连水 
因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异,并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成。粗糙度大的磨削片,初始抛光速率快,但抛光片达到镜面所需时间却延长。在抛光后的去蜡工序中,粗糙度大的Ge片其表...
关键词：磨削 粗糙度 化学机械抛光(CMP) 抛光速率 时间雾 
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