杨乾坤

作品数：15被引量：8H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：ALNMOCVD金属有机物化学气相沉积GAN二维电子气更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《人工晶体学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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太赫兹GaN SBD外延材料的应力调控及低缺陷密度控制技术研究
《固体电子学研究与进展》2024年第5期425-429,共5页李传皓 李忠辉 彭大青 王克超 杨乾坤 张东国 
采用金属有机物化学气相沉积(Metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术在101.6 mm(4英寸)半绝缘SiC衬底上开展太赫兹用GaN肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)外延材料应力演进及缺陷密度控制的研究。提出了一种...
关键词：氮化镓 外延材料 太赫兹 应力调控 低缺陷密度 
高温退火对AlN外延材料晶体质量的影响
《固体电子学研究与进展》2024年第2期167-172,共6页罗伟科 王翼 李亮 李传皓 张东国 杨乾坤 彭大青 李忠辉 
江苏省重点研发计划资助项目(BE2020004);重点实验室基金资助项目(614280303012002)。
采用高温退火技术改善金属有机物化学气相沉积AlN薄膜材料晶体质量。研究发现较低的生长温度下,Al原子迁移能力弱,外延呈岛状生长模式,形成大量的柱状晶粒,晶粒倾斜、扭曲,晶格原子排列混乱,存在大量的位错和层错缺陷;高温退火时晶格发...
关键词：高温退火 氮化铝 晶体质量 金属有机物化学气相沉积 
200 mm高纯半绝缘SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料
《固体电子学研究与进展》2024年第1期F0003-F0003,共1页张东国 李忠辉 魏汝省 杨乾坤 彭大青 李传皓 罗伟科 王克超 
南京电子器件研究所采用国产200 mm高纯半绝缘SiC衬底,提出衬底高温刻蚀、GaN外延模式调控应力等技术,有效解决了高温下衬底边缘突翘和薄膜异质生长应力大等问题,显著降低了大尺寸外延材料的翘曲度,研制出高质量200 mm SiC衬底AlGaN/GaN...
关键词：AlGaN/GaN 外延材料 二维电子气 半绝缘 微波毫米波 方块电阻 摇摆曲线 迁移率 
大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究
《人工晶体学报》2024年第2期252-257,共6页李传皓 李忠辉 彭大青 张东国 杨乾坤 罗伟科 
本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以少层氮化硼(BN)作为插入层在4英寸蓝宝石衬底上开展范德瓦耳斯异质外延GaN微波材料的生长机理及应力调控方面的研究,探讨了AlN成核工艺对GaN缓冲层生长机制的影响,以及与材料晶体质量、应力...
关键词：范德瓦耳斯异质外延 金属有机化学气相沉积 GaN微波材料 少层BN 应力调控 
基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究
《人工晶体学报》2023年第5期746-752,共7页彭大青 李忠辉 蔡利康 李传皓 杨乾坤 张东国 罗伟科 
江苏省重点研发计划(SBE2020020137)。
针对高线性氮化镓微波功率器件研制需求,设计并外延生长了复合势垒的Al_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN/Al_(0.20)Ga_(0.80)N/GaN异质结构材料,通过理论计算和电容-电压(C-V)测试表明复合势垒材料存在两层二维电子气沟道。生长的复合势垒材料二...
关键词：ALGAN/GAN异质结 复合势垒 金属有机物气相沉积 高线性 跨导 二维电子气 
高迁移率AlN/GaN/AlN双异质结材料生长及特性研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第2期191-196,共6页罗伟科 李忠辉 李传皓 杨乾坤 李亮 董逊 彭大青 张东国 
重点实验室基金资助项目(614280303012002);江苏省重点研发计划资助项目(SBE2020020137)。
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)制备了高迁移率AlN/GaN/AlN双异质结材料,实验发现生长温度是影响异质结材料性能的关键,降低生长温度可以减少表面裂纹密度,同时减少界面AlGaN合金形成,提升二维电子气(2DEG)浓度。在1000℃采用脉冲...
关键词：脉冲沉积 双异质结 二维电子气 迁移率 
少层氮化硼的生长机理及技术研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2022年第6期510-514,520,共6页李传皓 李忠辉 彭大青 张东国 杨乾坤 潘传奇 沈睿 
采用MOCVD技术在50.8 mm(2英寸)蓝宝石衬底上开展氮化硼(BN)材料的外延生长研究。基于Ⅴ/Ⅲ族源的同时输运工艺,探究了无序岛状、生长自终止及二维层状等三种BN生长模式的外延机理,并实现了5-6层原子厚的二维BN材料的制备。同时,提出了...
关键词：氮化硼 外延生长 少层材料 蓝宝石衬底 结晶质量提升 
正晶向SiC衬底上表面光滑的N极性GaN薄膜材料的生长
《固体电子学研究与进展》2022年第2期150-156,共7页沈睿 李传皓 李忠辉 彭大青 张东国 杨乾坤 罗伟科 
江苏省重点研发计划(SBE2020020137)。
采用MOCVD技术在101.6 mm(4英寸)正晶向半绝缘C面SiC衬底上生长了厚度为1μm的GaN缓冲层。通过深入研究不同AlN成核层上生长的GaN缓冲层的性质,揭示了正晶向SiC衬底上氮极性GaN的生长机制,发现成核层表面AlN岛的密度是决定缓冲层表面形...
关键词：N极性GaN MOCVD AlN成核层 正晶向SiC衬底 微波应用 
高质量6英寸SiC基AlGaN/GaN HEMT外延材料
《固体电子学研究与进展》2020年第4期F0003-F0003,共1页杨乾坤 张东国 彭大青 李传皓 李忠辉 
南京电子器件研究所基于国产半绝缘SiC衬底研制出了高质量152.4 mm (6英寸)GaN HEMT外延材料。采用高温成核层调制生长技术,有效降低了大尺寸GaN外延材料的位错密度和圆片翘曲度,并利用温流场调控技术,大幅提升了片内均匀性,突破了国产...
关键词：外延材料 ALGAN/GAN 半绝缘 圆片 HEMT 位错密度 成核层 翘曲度 
G波段AlN/GaN HEMT外延材料被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第3期F0003-F0003,共1页李传皓 彭大青 李忠辉 张东国 杨乾坤 吴少兵 孙岩 
南京电子器件研究所基于MOCVD平台,在100 mm SiC半绝缘衬底上,提出恒压式气流吹扫和台阶式流场调控技术分别应用于生长AlN/GaN异质结界面和AlN势垒层,显著改善了AlN/GaN异质结界面不清晰、Al原子表面扩散长度偏低的外延难题,研制出高性...
关键词：外延材料 势垒层 扩散长度 异质结界面 HEMT 表面平整 MOCVD 半绝缘衬底 
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