高质量6英寸SiC基AlGaN/GaN HEMT外延材料  

6-inch High Quality GaN HEMT Epitaxial Material Based on SiC Substrate

作　　者：杨乾坤[1] 张东国[1] 彭大青[1] 李传皓[1] 李忠辉[1] YANG Qiankun;ZHANG Dongguo;PENG Daqing;LI Chuanhao;LI Zhonghui(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing 210016,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2020年第4期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所基于国产半绝缘SiC衬底研制出了高质量152.4 mm (6英寸)GaN HEMT外延材料。采用高温成核层调制生长技术,有效降低了大尺寸GaN外延材料的位错密度和圆片翘曲度,并利用温流场调控技术,大幅提升了片内均匀性,突破了国产半绝缘SiC衬底上高质量152.4 mm (6英寸)GaN HEMT外延材料制备关键技术。

关 键 词：外延材料 ALGAN/GAN 半绝缘 圆片 HEMT 位错密度 成核层 翘曲度 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]