G波段AlN/GaN HEMT外延材料  

Epitaxy Growth of G-band AlN/GaN HEMT

作　　者：李传皓[1] 彭大青[1] 李忠辉[1] 张东国[1] 杨乾坤[1] 吴少兵[1] 孙岩[1] LI Chuanhao;PENG Daqing;LI Zhonghui;ZAHNG Dongguo;YANG Qiankun;WUShaobing;SUN Yan(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]微波毫米波单片和集成电路重点实验室,南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2020年第3期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所基于MOCVD平台,在100 mm SiC半绝缘衬底上,提出恒压式气流吹扫和台阶式流场调控技术分别应用于生长AlN/GaN异质结界面和AlN势垒层,显著改善了AlN/GaN异质结界面不清晰、Al原子表面扩散长度偏低的外延难题,研制出高性能AlN/GaN HEMT外延材料。图1为AFM 5μm×5μm范围下的表面形貌,势垒层表面平整,原子台阶明显,RMS=0.3 nm,且无明显缺陷。

关 键 词：外延材料 势垒层 扩散长度 异质结界面 HEMT 表面平整 MOCVD 半绝缘衬底 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]