势垒层

作品数：45被引量：30H指数：3
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通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率
《发光学报》2024年第5期800-808,共9页张东皓 杨东锴 徐畅 刘信佑 包立君 
国家自然科学基金(62071405)。
为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN...
关键词：发光二极管 最后势垒层 空穴注入 INGAN/GAN多量子阱 V坑 
含有氮化硼势垒层的三明治结构聚合物基复合介质储能特性研究被引量：1
《电工技术学报》2024年第1期121-134,共14页冯宇 程伟晔 岳东 张文超 迟庆国 
国家自然科学基金项目(52177017);黑龙江省自然科学基金优秀青年项目(YQ2021E036)资助。
聚合物基高温储能介质因其较高的功率密度及优异的充放电效率被广泛应用在电气和电子等领域。该文选用不同粒径的氮化硼纳米片(BNNSs)作为填料,掺杂到聚醚酰亚胺(PEI)中构建势垒层,添加在纯PEI两侧制备拥有三明治结构的复合薄膜,探究粒...
关键词：电介质薄膜 聚醚酰亚胺 氮化硼 介电性能 储能密度 
基于Sine-Gordon方程的三角形势垒层平面约瑟夫森结仿真
《信息记录材料》2023年第3期216-219,共4页花涛 余辉龙 覃翠 曹春海 吉争鸣 许伟伟 
江苏省自然科学青年基金“基于量子点半导体光放大器的慢光效应研究”(BK20191012);南京工程学院科研基金“基于Josephson磁通棘轮效应的超高频整流二极管器件研究”(CKJA201904)。
通过数值计算的方法求解Sine-Gordon方程,模拟研究了势垒层平面为三角形形状的约瑟夫森结在磁场下的超导层间相位差动态分布情况,以及结电流电压特性和超导电流(约瑟夫森隧道电流)分布特性。文中给出了详细的仿真模型构建过程、初始条...
关键词：约瑟夫森结 SINE-GORDON方程 仿真计算 势垒层平面 
原子级控制的约瑟夫森结中Al_(2)O_(3)势垒层制备工艺
《物理学报》2022年第21期344-349,共6页李中祥 王淑亚 黄自强 王晨 穆清 
传统热氧化方式制备约瑟夫森结中AlO_(X)势垒层是将高纯度氧气扩散到Al表面进行,但该方式制备的势垒层氧化不完全,厚度难以精准控制.本文采用原子层沉积方式在金属Ti表面逐层生长Al_(2)O_(3)势垒层,并制备出三明治结构的Ti/Al_(2)O_(3)...
关键词：原子层沉积 Al_(2)O_(3) 势垒层 约瑟夫森结 室温电阻 
势垒层Al组分呈台阶梯度的AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管
《微纳电子技术》2022年第5期399-403,共5页房玉龙 张志荣 尹甲运 王波 高楠 芦伟立 陈宏泰 牛晨亮 
河北省省级科技计划资助项目(20311001D)。
设计并制备了AlGaN势垒层中Al组分呈线性梯度分布和呈台阶梯度分布的AlGaN/GaN结构材料及其异质结构场效应晶体管(HFET),测试了基于两种结构材料的HFET器件性能。分析发现,两种结构HFET的阈值电压分别为-9.5和-3.2 V,在1 V栅偏压下,峰...
关键词：台阶梯度异质结 氮化镓(GaN) 异质结场效应晶体管(HFET) 均匀性 无线通信 
基于氧化硅绝缘层改性的PMMA复合薄膜储能性能研究被引量：4
《中国电机工程学报》2022年第7期2797-2804,共8页张天栋 戚振飞 张昌海 冯宇 迟庆国 陈庆国 
国家自然科学基金项目(51807042);黑龙江省自然科学基金优秀青年项目(YQ2020E031)。
聚合物电介质因具有击穿电压高、柔性好、成本低、加工容易和质量轻等优点而备受青睐,其在电气工程领域具有广泛的应用。该文以聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)作为基体,二氧化硅(SiO_(2))作为绝缘层,综合利用溶液流延...
关键词：磁控溅射 界面势垒层 储能性能 聚甲基丙烯酸甲酯 二氧化硅 
单晶二维材料势垒层磁性隧道结温度效应的理论研究被引量：1
《河南师范大学学报（自然科学版）》2021年第4期39-46,共8页方贺男 孙星宇 吕涛涛 吕杰 
国家自然科学基金(11704197)。
基于传统光学衍射理论构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论模型.该理论模型将单晶势垒层视作周期性的衍射光栅,所以可以计入单晶势垒层对隧穿电子散射产生的相干性.利用此理论,研究了单晶二维材料势垒层磁性隧道结的温度效应.理论...
关键词：磁性隧道结 隧穿磁阻效应 二维材料 温度效应 自旋电子学 
单晶二维材料势垒层磁性隧道结的偏压效应被引量：1
《电子元件与材料》2021年第7期683-688,709,共7页吕涛涛 方贺男 吕杰 孙星宇 
国家自然科学基金(11704197)。
基于Bethe理论和双束近似方法,构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论模型。该理论模型将单晶势垒层视作周期性光栅,因而可以充分地计入隧穿电子的相干性。进一步地,利用该理论计算了以单晶二维材料作为势垒层的磁性隧道结的偏压效应...
关键词：磁性隧道结 二维材料 自旋极化输运 隧穿磁阻效应 自旋电子学 
LDD结构GaN HEMT器件制备工艺流程介绍
《经济技术协作信息》2021年第14期125-125,共1页李可欣 陈冲 侯佳琳 周杨鹏 何佳旺 
吉林建筑大学大学生创新创业项目《LDD结构GaN HEMT转移特性分析》资助。
完整的LDD GaN HEMT器件制作过程主要分为GaN材料生长和器件制作两个主要部分,由于自然界中没有天然的GaN材料,目前大多数GaN材料采用MOCVD以及HPVE方法进行生长。GaN材料的生长质量和器件的制备工艺共同决定了LDD GaN HEMT器件的性能,...
关键词：GAN材料 器件制作 势垒层 漏极 HEMT 缓冲层 源极 MOCVD 
一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构
《微电子学与计算机》2020年第8期27-31,36,共6页李佳 陈万军 孙瑞泽 信亚杰 
国家自然科学基金项目(60906037,61274090)。
针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)沟道温度过高导致器件性能下降的问题,提出一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构,通过优化沟道电场来降低沟道温度.该结构采用混合势垒层设计,将栅极下方的势垒层分为两层,上层采用AlN,下层采用重...
关键词：氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 沟道温度 混合势垒层 
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