GAN材料

作品数：82被引量：105H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郑有炓张荣张进成冯志红尹甲运更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国科学院南京大学西安智盛锐芯半导体科技有限公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划河北省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
石墨烯插入层对蓝宝石上GaN材料的应力调制
《微纳电子技术》2024年第9期142-147,共6页王波 房玉龙 尹甲运 张志荣 芦伟立 高楠 
较大的晶格失配和热失配使得异质外延生长的GaN材料具有很高的残余应力,对材料和器件的性能产生重要影响。在蓝宝石衬底和GaN外延层之间插入一层石墨烯,通过Raman光谱和弯曲度测试分析了石墨烯插入层对GaN材料应力的影响。Raman测试结...
关键词：氮化镓(GaN) 外延 石墨烯 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 应力 弯曲度 
基于GaN材料的器件辐照效应的评估方法
《舰船电子工程》2024年第5期181-184,共4页甄子新 冯慧 王冲 张楠 冯春 
国家重点研发计划青年科学家项目(编号:2022YFB3607600)资助。
论文提出了一种基于GaN材料的器件辐照效应的评估方法,从GaN基器件的辐照效应导致的退化出发,涵盖基于结构的材料退化的辐照效应评估和基于电学性能的辐照效应评估,实现对器件辐照效应的全面评估。此外,论文选取具体的器件进行实践验证...
关键词：GAN 辐照效应 评估方法 
GaN基高电子迁移率晶体管专利分析
《中国科技信息》2023年第19期20-23,共4页罗晓雅 
技术概述。相对于以Si为代表的第一代半导体材料和以GaAs为代表的第二代半导体材料,以GaN和SiC为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和漂移速率大、耐高温以及抗辐射能力强的优点,在射频领域和大功率方面显示出...
关键词：高电子迁移率晶体管 半导体材料 临界击穿电场 电子迁移率 射频器件 异质结构 GAN材料 抗辐射能力 
HEMT器件质子辐射效应仿真
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第9期922-926,933,共6页马毛旦 曹艳荣 吕航航 王志恒 任晨 张龙涛 吕玲 郑雪峰 马晓华 
北京智芯微电子科技有限公司实验室开放基金资助项目;国家自然科学基金资助项目(11690042;U1866212;12035019;61727804;11690040)。
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有抗高频、耐高温、大功率、抗辐射等特性,在核反应堆、宇宙探测等辐射环境中具有广阔的应用前景。借助SRIM软件仿真1.8 MeV质子辐射对不同AlGaN势垒层纵向尺寸下的常规耗尽型器件内部产生空位密度...
关键词：GAN材料 HEMT器件 MIS-HEMT器件 质子辐射仿真 
第三代半导体GaN材料发展状况简介
《经济技术协作信息》2021年第15期106-106,共1页李超 陈冲 李佳霖 何佳旺 李易家 
吉林建筑大学大学生创新创业项目《不同剂量氟处理对GaN基器件横向电场分布影响研究》资助。
半导体材料,作为半导体技术的基础和支撑,从半导体科技发展以来就扮演着重要的角色。自1947年,世界上第一只半导体锗(Ge)材料晶体管的诞生到1965年半导体硅(Si)材料超越Ge材料成为半导体集成电路的主要材料,再到二十世纪七十年代以砷化...
关键词：半导体集成电路 半导体技术 宽禁带半导体材料 无线通信 GAN材料 第三代半导体 半导体科技 
LDD结构GaN HEMT转移特性分析
《经济技术协作信息》2021年第15期127-127,共1页李可欣 陈冲 侯佳琳 周杨鹏 于和辰 
吉林建筑大学大学生创新创业项目《LDD结构GaN HEMT转移特性分析》资助。
LDD(Low-Density Drain)结构首次提出是在1978年,该结构最早多应用在MOSFET器件上,用来提升器件的击穿电压。伴随着第三代半导体GaN材料的不断发展,目前,LDD结构也用于GaN HEMT中,LDD结构GaN HEMT称为轻掺杂漏高电子迁移率器件。LDD结构...
关键词：LDD结构 MOSFET器件 击穿电压 GAN材料 HEMT 高电子迁移率器件 轻掺杂漏 转移特性 
LDD结构GaN HEMT器件制备工艺流程介绍
《经济技术协作信息》2021年第14期125-125,共1页李可欣 陈冲 侯佳琳 周杨鹏 何佳旺 
吉林建筑大学大学生创新创业项目《LDD结构GaN HEMT转移特性分析》资助。
完整的LDD GaN HEMT器件制作过程主要分为GaN材料生长和器件制作两个主要部分,由于自然界中没有天然的GaN材料,目前大多数GaN材料采用MOCVD以及HPVE方法进行生长。GaN材料的生长质量和器件的制备工艺共同决定了LDD GaN HEMT器件的性能,...
关键词：GAN材料 器件制作 势垒层 漏极 HEMT 缓冲层 源极 MOCVD 
“GaN电子器件与先进集成”专题前言
《电子与封装》2021年第2期I0003-I0003,I0002,共2页黄伟 
GaN半导体技术是具有战略性、先导性等显著特性的新一代半导体芯片技术。因GaN材料具有宽禁带宽度、高功率密度、强击穿电场等优势,GaN电子器件,尤其是GaN微波固态器件,已被公认为变革军事电子系统与架构的颠覆性元器件之一,上述器件在...
关键词：半导体芯片 半导体技术 电子器件 固态器件 GAN材料 击穿电场 高功率密度 航天工程 
“半导体激光器”专题前言被引量：2
《中国激光》2020年第7期1-2,共2页黄永箴 郭霞 宋清海 张青 
自1962年第一只半导体激光器成功问世以来,这种尺寸仅为毫米量级的芯片已经广泛应用于光纤通信、激光存储、激光制造、激光成像、激光打印、激光武器等现代科学技术的各个方向,成为现代工业的变革性力量,是各国高科技领域竞争的制高点,...
关键词：半导体激光器 量子级联激光器 外延技术 激光制造 激光成像 光纤通信 GAN材料 宽禁带 
GaN功率元件可望作为5G替代材料
《半导体信息》2020年第3期34-35,共2页
据SBWIRE预测,GaN功率元件市场将从2017年的四千万美元成长至2023年的1.9亿美元,2017年至2023年的复合年成长率为29%。光电协进会产业分析师林政贤认为,推动GaN功率元件成长的关键因素来自消费电子产品和车用装置的庞大需求。GaN材料的...
关键词：功率元件 射频功率 电子产品 GAN材料 RF功率 成长率 创新应用 替代材料 
全选清除导出
共9页<123456789>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部