LDD结构GaN HEMT转移特性分析  

作　　者：李可欣 陈冲 侯佳琳 周杨鹏 于和辰 

机构地区：[1]吉林建筑大学

出　　处：《经济技术协作信息》2021年第15期127-127,共1页

基　　金：吉林建筑大学大学生创新创业项目《LDD结构GaN HEMT转移特性分析》资助。

摘　　要：LDD(Low-Density Drain)结构首次提出是在1978年,该结构最早多应用在MOSFET器件上,用来提升器件的击穿电压。伴随着第三代半导体GaN材料的不断发展,目前,LDD结构也用于GaN HEMT中,LDD结构GaN HEMT称为轻掺杂漏高电子迁移率器件。LDD结构GaN HEMT的实现主要依赖F等离子体注入技术的应用。

关 键 词：LDD结构 MOSFET器件 击穿电压 GAN材料 HEMT 高电子迁移率器件 轻掺杂漏 转移特性 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]