轻掺杂漏

作品数：21被引量：15H指数：2
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相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华力集成电路制造有限公司联华电子股份有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司更多>>
相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《经济技术协作信息》《应用科学学报》更多>>
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LDD MOSFET热载流子退化分析及其寿命预测
《固体电子学研究与进展》2024年第4期351-356,共6页陈光前 刘伟景 刘先婷 李清华 
国家自然科学基金资助项目(52177185,62174055)。
集成电路器件密集化导致电场梯度增大和电流密度集中,加剧了热载流子效应,电热性能退化。本文聚焦热载流子注入(Hot carrier injection, HCI)效应对器件可靠性的影响问题,通过研究N型轻掺杂漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(N-type lig...
关键词：可靠性 热载流子注入(HCI) 轻掺杂漏极(LDD) 器件退化 寿命预测 
LDD结构GaN HEMT转移特性分析
《经济技术协作信息》2021年第15期127-127,共1页李可欣 陈冲 侯佳琳 周杨鹏 于和辰 
吉林建筑大学大学生创新创业项目《LDD结构GaN HEMT转移特性分析》资助。
LDD(Low-Density Drain)结构首次提出是在1978年,该结构最早多应用在MOSFET器件上,用来提升器件的击穿电压。伴随着第三代半导体GaN材料的不断发展,目前,LDD结构也用于GaN HEMT中,LDD结构GaN HEMT称为轻掺杂漏高电子迁移率器件。LDD结构...
关键词：LDD结构 MOSFET器件 击穿电压 GAN材料 HEMT 高电子迁移率器件 轻掺杂漏 转移特性 
55纳米CMOS图像传感器栅极多晶硅工艺研究
《中国集成电路》2017年第12期64-69,共6页陈昊瑜 田志 
随着市场对于摄像设备的更多和更高性能的需求,基于互补金属氧化物晶体管的图像传感器CIS(CMOS image sensor)由于其优异的性能正逐步取代原有的电荷耦合器件(CCD)。华力55CIS平台将55LP(55纳米低功耗)工艺的逻辑区和客户的像素区结合起...
关键词：CMOS图像传感器(CIS) 多晶硅硬掩膜 多晶硅再氧化 输入输出N型3.3V器件(NIO33) 输入输出N型器件的轻掺杂漏(IONLDD) 
CMOS反相器电压传输特性的数值计算被引量：1
《电脑知识与技术（过刊）》2015年第8X期145-146,共2页梁旗 
设计了一种0.35um沟长的LDD PMOS器件,并用Medici软件进行数值仿真,找到一种简单有效的描述器件伏安特性的数值算法,给出相应的数学表达式,并利用这些表达式计算亚微米CMOS反相器的电压传输特性,计算结果与理论分析符合较好。
关键词：MOSFET 轻掺杂漏(LDD) 反相器 
沟道宽度对MOSFET高功率微波效应的影响
《固体电子学研究与进展》2014年第5期420-425,共6页邵立汉 夏同生 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(YWF12LZGF055);北京市自然科学基金资助项目(4122045)
关于高功率微波(HPM)对半导体器件影响的研究往往采用二维仿真模型,而器件宽度作为第三个维度,对仿真结果的影响并没有得以足够的重视。通过Sentaurus TCAD软件对器件的三维模型进行模拟仿真,重点研究了器件宽度在高功率微波注入条件下...
关键词：高功率微波 沟道宽度 快回电压 热积累 轻掺杂漏极 
一种基于静态存储器微缩的轻掺杂漏离子注入光阻厚度的优化
《中国科技纵横》2013年第16期202-203,共2页蔡建祥 
一种厚度优化的浅掺杂漏极的光阻被用到了芯片的制造上。因为这种应用，静态存储器器件显示了良好的性能和电性稳定性，并且在这种优化的光阻条件下，10M的静态存储器芯片也取得了良好的工作性能。
关键词：浅掺杂漏极 静态存储器 阴影效应 
非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型被引量：2
《物理学报》2012年第7期536-543,共8页李聪 庄奕琪 韩茹 张丽 包军林 
中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:K50511250001);国家自然科学基金(批准号:61076101)资助的课题~~
为抑制短沟道效应和热载流子效应,提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构.通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续的泊松方程,推导出新结构的沟道静电势、阈值电压以及亚阈值电流的解析模型.结果表明,新结构可有效抑制...
关键词：非对称HALO掺杂 栅交叠轻掺杂漏 围栅MOSFET 解析模型 
应力下LDD nMOSFET栅控产生电流退化特性研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第2期115-119,共5页陈海峰 过立新 杜慧敏 
陕西省教育厅专项科研基金项目(11JK0902);西安市应用材料创新基金项目(XA-AM-201012);西安邮电学院青年教师科研基金项目(ZL2010-19)
研究了LDD nMOSFET栅控产生电流在电子和空穴交替应力下的退化特性。电子应力后栅控产生电流减小,相继的空穴注人中和之前的陷落电子而使得产生电流曲线基本恢复到初始状态。进一步发现产生电流峰值在空穴应力对电子应力引发的退化的恢...
关键词：轻掺杂漏区 产生电流 应力 阈值电压 饱和漏电流 
35KCMOS器件LDD结构的SPICE宏模型被引量：2
《红外与毫米波学报》2008年第6期465-469,共5页刘文永 丁瑞军 冯琪 
预先研究(61501050303)资助项目
针对BSIM3v3模型在35K低温下无法模拟LDD(轻掺杂漏区)所引起的串联电阻异常,提出了可以模拟这一异常的SPICE宏模型.通过修改CMOS器件常温BSIM3v3模型中的一些与温度有关的参数值,得到35K BSIM3v3模型.模拟结果表明,根据此模型进行参数...
关键词：轻掺杂漏区 串联电阻 BSIM3V3 SPICE模型 CMOS 低温 
击穿18V的高压LDD PMOS器件的研制
《微电子学与计算机》2007年第7期72-75,共4页王晓慧 杜寰 韩郑生 
国家重点基础研究发展计划项目(2003CB314705)
从Synopsys TCAD的软件模拟出发,基于0.8μm标准CMOS工艺,通过重新设计高压N阱,以及优化器件LDD区域注入剂量,成功研制了栅长0.8μm击穿电压达到18V的LDD结构的高压PMOS器件,并实现了低高压工艺的兼容。研制的宽长比为18/0.8的PMOS器件...
关键词：高压PMOS器件 轻掺杂漏 击穿电压 器件模拟 
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