云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 静态存储器

静态存储器: 作品数：100被引量：148H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>; 相关作者：于宗光张庆祥高宁施亮侯明东更多>>; 相关机构：江南大学华为技术有限公司东南大学清华大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金更多>>

面向静态随机存储器的灵敏放大器设计: 《科学与信息化》2022年第24期91-95,共5页温芝权王昉史顺达; 灵敏放大器作为静态随机存储器中的重要设备,其稳定性会影响信息的输入和读出的准确性,从而对静态随机存储器的性能造成较大影响。针对传统的灵敏放大器很难准确地控制高电平脉冲持续时间的问题,本论文设计了一种新型灵敏放大器。该灵...; 关键词：灵敏放大器静态存储器脉冲宽度

用场效应管制作1-T单元动态存储器: 《无线电》2022年第9期49-52,共4页俞虹; 动态存储器不同于静态存储器,它需要对存储器进行刷新,这也是动态存储器名称的由来。动态存储器存储单元需要的晶体管比较少,故大容量的存储器都使用动态存储单元,例如计算机的内存条就属于动态存储器。这里我们介绍用场效应管制作1-T(...; 关键词：动态存储器存储单元静态存储器场效应管内存条计算机晶体管刷新

用三极管和场效应管制作静态存储器(SRAM): 《无线电》2022年第6期54-58,共5页俞虹; 存储器是一种存储信息的装置,在计算机中应用得最多。计算机中有各种各样的存储器,例如我们之前介绍过的ROM。静态存储器不需要刷新,只需要保持电源接通,就可以一直存储信息,所以某些场合会使用到它,但它的容量相对较小。; 关键词：静态存储器存储信息计算机场效应管电源接通 SRAM 三极管 ROM

STM32的FSMC机制与NOR Flash的对接被引量：5: 《现代信息科技》2021年第22期48-50,共3页秦臻张鑫泉; 可变静态存储控制器(FSMC)是STM32系列中的一种存储器扩展方式,FSMC可以根据不同系统的设计应用需求,使其可以在外部连接不同类型的大容量静态存储器,依据外部存储器所独具的特色,满足不同的需求,例如静态随机访问存储器(SRAM),只读存储...; 关键词：FSMC STM32 静态存储器 NOR Flash

65nm工艺双层三维静态存储器的软错误分析与评估: 《国防科技大学学报》2016年第5期20-25,共6页李鹏郭维赵振宇张民选邓全周宏伟; 国家自然科学基金资助项目(61373032;61303069);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20124307110016); 新兴的三维静态存储器将代替二维静态存储器被广泛用于高性能微处理器中,但它依然会受到软错误的危害。为了能够快速、自动分析多层管芯堆叠结构的三维静态存储器软错误特性,搭建了三维静态存储器软错误分析平台。利用该平台对以字线划...; 关键词：三维静态存储器软错误分析平台翻转截面单粒子翻转多位翻转

新型可容错FPGA被引量：2: 《微处理机》2015年第6期19-21,共3页周刚代雪峰赵以诚; SRAM型FPGA具有设计周期短、开发成本低和可重配置等特性,在大型电子系统设计中应用广泛。伴随SRAM型FPGA在重要领域的深入应用,对其可靠性提出了更高要求。在深入剖析FPGA内部结构的基础上,对SRAM型FPGA的故障类型进行了总结。针对SRA...; 关键词：现场可编程门阵列软错误可重构可容错静态存储器刷新

静态存储器中子单粒子翻转截面的预测模型被引量：1: 《太赫兹科学与电子信息学报》2015年第6期976-979,共4页解磊周婉婷; 中子是近地空间和核爆的主要辐射源之一,中子二次反应诱发的单粒子效应极大地影响了电子元器件的可靠性。本文针对商用体硅工艺静态存储器(SRAM)单元提出了一种中子饱和翻转截面预测模型。通过一个电路级的仿真模型,对应于辐射作用距离...; 关键词：中子单粒子翻转饱和翻转截面线性电荷沉积静态存储器

A novel single event upset reversal in 40-nm bulk CMOS 6T SRAM cells被引量：1: 《Nuclear Science and Techniques》2015年第5期76-82,共7页李鹏张民选赵振宇邓全; Supported by National Natural Science Foundation of China(Nos.61176030 and 61373032);Specialized Research Fund for the Doctor Program of Higher Education of China(No.20124307110016); In advanced technologies, single event upset reversal(SEUR) due to charge sharing can make the upset state of SRAM cells recover to their initial state, which can reduce the soft error for SRAMs in radiation environme...; 关键词：SRAM单元单粒子翻转 CMOS 纳米静态存储器 CAD模拟初始状态状态恢复

CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究被引量：4: 《航天器环境工程》2014年第2期150-153,共4页余永涛封国强陈睿蔡明辉上官士鹏韩建伟; 中国科学院基础科研计划项目(编号:A1320110028);中国科学院支撑技术项目(编号:110161501038); 利用脉冲激光定位成像系统,对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应(SEL)敏感区定位的试验研究。试验结果表明:该器件的单粒子锁定效应敏感区呈周期性分布,而对于单一的SEL敏感区,其长度和宽度相差很大。在此基础上进一步讨论...; 关键词：单粒子锁定敏感区定位单粒子锁定频次静态存储器脉冲激光试验

静态存储器多比特翻转的概率失效模型: 《微电子学与计算机》2014年第2期54-56,61,共4页周婉婷叶世旺李磊; 国家自然科学基金项目(61101033); 针对静态存储器出现的多比特翻转,提出了一种软错误失效模型.以"生日重合"理论作为多比特失效统计的基础,将常用加固方式纠错码和周期刷新作为分析条件得到累积错误和非累积错误的概率失效模型.前者为相同容量存储器的不同字长结构提供...; 关键词：多比特翻转静态存储器可靠性刷新

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