SRAM单元

作品数：54被引量：56H指数：4
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相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
相关作者：吴秀龙彭春雨蔺智挺赵强卢文娟更多>>
相关机构：安徽大学中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司国防科学技术大学更多>>
相关期刊：《微电子技术》《哈尔滨工业大学学报》《计算机与现代化》《微电子学》更多>>
相关基金：国家自然科学基金武汉市科技计划项目中央高校基本科研业务费专项资金安徽省自然科学基金更多>>
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NMOS晶体管电荷共享导致的SRAM单元单粒子翻转恢复效应研究
《中国集成电路》2024年第6期48-55,共8页高珊 李洋 郝礼才 赵强 彭春雨 蔺智挺 吴秀龙 
国家自然科学基金(62274001);国家自然科学基金(62104002);安徽省省高校科研重点项目(2023AH040011);安徽省重点研发项目(2022a05020044);国家自然科学基金(62104001)。
基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P...
关键词：单粒子翻转恢复效应 SRAM 电荷共享 工艺参数 
SRAM单元的单粒子效应三维敏感区形状参数模拟仿真方法
《航天器环境工程》2023年第6期622-629,共8页王玉才 刘艳 曹荣幸 李红霞 刘洋 郑澍 韩丹 薛玉雄 
国家自然科学基金项目(编号:12004329);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项(编号:SKLIPR2115);江苏省研究生实践创新计划项目(编号:SJCX22_1704);扬州宽禁带半导体电子材料与器件实验室开放基金项目(编号:YZ202026301,YZ202026306)。
为揭示静态随机存储器(SRAM)辐射效应以及内部电荷收集变化规律,从而为器件辐射效应及加固提供有效的仿真数据支撑,针对器件在轨单粒子翻转(SEU),提出一种SRAM单元的三维敏感区形状参数模拟仿真方法。首先通过器件级和电路级仿真相结合...
关键词：静态随机存储器 单粒子效应 器件级仿真 电路级仿真 三维敏感区 
一种新型抗SEU的SRAM单元结构设计被引量：1
《原子核物理评论》2023年第1期78-85,共8页常泽光 秦家军 赵雷 宋春晓 李力 安琪 
国家重点研发计划资助项目(2020YFE0202002);中国科学院青年创新促进会资助项目;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(WK2030000051);核探测与核电子学国家重点实验室资助项目(SKLPDE-ZZ-202121)。
在加速器粒子物理实验中,基于专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)在读出电子学前端实现模拟信号调理、数字化等功能是一个发展趋势,但这也使得ASIC暴露在了高能粒子辐射环境中,而其中的静态随机存储器(Static ...
关键词：SRAM单元 SEU ASIC 抗辐照 
基于低电压SRAM的单元结构优化研究进展被引量：1
《集成电路应用》2023年第3期1-3,共3页黄渝斐 林彬 许泽鸿 王素彬 
2019年度福建省中青年教师教育科研项目(JAT190676);厦门理工学院2021年教育教学改革研究项目(JG2021042)。
阐述低电压技术的应用背景,综述国内外研究现状,针对低电压技术下SRAM单元结构优化面临的问题进行分析,并探讨了相应的解决策略,认为其在图像处理、语音识别、存内计算等领域具有广阔的发展空间。
关键词：电路设计 低电压 SRAM单元 静态噪声容限 
一种基于位交错结构的亚阈值10管SRAM单元
《微电子学》2020年第6期839-843,共5页吴晓清 吕嘉洵 黄茂航 贺雅娟 
国家自然科学基金资助项目(61874023);中央高校基本科研业务费基金资助项目(ZYGX2018J030);预研基金资助项目(31513030209)。
提出了一种基于位交错结构的亚阈值10管SRAM单元,实现了电路在超低电压下能稳定地工作,并降低了电路功耗。采用内在读辅助技术消除了读干扰问题,有效提高了低压下的读稳定性。采用削弱单元反馈环路的写辅助技术,极大提高了写能力。该10...
关键词：超低压SRAM 低功耗 稳定性 软错误 
SRAM单元SEUR脉冲宽度缩减的工艺优化方法研究
《中国集成电路》2020年第10期54-59,共6页张景波 赵强 卢文娟 吴秀龙 
集成电路中电荷共享效应引起的多节点电荷收集在当前成为集成电路发生软错误的主要原因,然而在存储单元如SRAM中可以通过晶体管布局利用电荷共享效应将SRAM单元发生的单粒子翻转效应进行恢复。本文基于三维器件物理仿真软件对65 nm体硅C...
关键词：单粒子翻转 单粒子翻转恢复 抗辐射加固 版图 阱结构 
低功耗容软错误的65 nm CMOS 12管SRAM单元被引量：1
《微电子学》2019年第6期765-771,共7页黄正峰 吴明 国欣祯 戚昊琛 易茂祥 梁华国 倪天明 欧阳一鸣 鲁迎春 
国家自然科学基金资助项目(61874156,61574052,61674048);安徽省自然科学基金资助项目(1608085MF149)
提出了一种具有软错误自恢复能力的12管SRAM单元。该单元省去了专用的存取管,具有高鲁棒性、低功耗的优点。在65 nm CMOS工艺下,该结构能够完全容忍单点翻转,容忍双点翻转的比例是64.29%,与DICE加固单元相比,双点翻转率降低了30.96%。与...
关键词：抗辐射加固设计 单粒子效应 软错误鲁棒性 双点翻转 
一种65 nm CMOS低功耗加固SRAM单元
《微电子学》2019年第4期518-523,528,共7页黄正峰 卢康 郭阳 徐奇 戚昊琛 倪天明 鲁迎春 
国家自然科学基金资助项目(61574052);安徽省自然科学基金资助项目(1608085MF149);安徽工程大学科研启动基金资助项目(2018YQQ007)
提出了12管低功耗SRAM加固单元。基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗。基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误。Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降31.09%,HSNM平均上...
关键词：低功耗 单粒子翻转 SRAM 抗辐照加固设计 稳定性 
纳米工艺SRAM单元的尺寸效应研究与优化被引量：1
《微电子学》2019年第4期583-587,592,共6页王庆珍 陆戴 马中华 于平平 姜岩峰 
国家自然科学基金资助项目(61774078);江南大学独立研究项目(1255210322160220)
集成电路工艺尺寸减小至纳米级时,尺寸效应的出现会导致SRAM读写可靠性下降。针对传统六管SRAM单元,采用蝶形曲线法对尺寸效应进行了分析,对不同工艺尺寸(90 nm^7 nm)的静态噪声容限进行了研究。分析了漏极致势垒降低效应、反向短沟道...
关键词：尺寸效应 蝶形曲线 静态噪声容限 SRAM单元 
粒子入射条件对28 nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究被引量：1
《电子与封装》2019年第6期32-40,共9页金鑫 唐民 于庆奎 张洪伟 梅博 孙毅 唐路平 
利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律。结果表明,粒子LET值增大、入射角度的增大、器件间距的减小和浅槽隔离(STI)深度的减少都...
关键词：器件仿真 28nm 单粒子效应 电荷共享 多位翻转 
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