陈睿

作品数：13被引量：38H指数：4
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供职机构：中国科学院空间科学与应用研究中心更多>>
发文主题：脉冲激光单粒子效应激光能量FPGA脉冲更多>>
发文领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊：《北京航空航天大学学报》《强激光与粒子束》《核电子学与探测技术》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程中国人民解放军总装备部预研基金国防基础科研计划更多>>
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运算放大器单粒子瞬态脉冲效应试验评估及防护设计被引量：2
《空间科学学报》2017年第2期222-228,共7页程佳 马英起 韩建伟 朱翔 上官士鹏 陈睿 
国家自然科学基金项目资助(41304148)
线性器件的单粒子瞬态脉冲效应(SET)具有瞬发性和传播性,其对星用电子系统和设备的在轨故障定位及防护设计造成较大困难,已成为威胁航天器可靠性的重要因素之一.星用电子设备需要对所采用线性器件的SET特征进行细致的试验评估,以确定其...
关键词：单粒子瞬态脉冲效应 脉冲激光 试验评估 减缓电路 
空间静电放电对集成运算放大器的干扰影响模拟试验研究被引量：2
《中国科学：技术科学》2017年第1期80-88,共9页郑汉生 朱翔 陈睿 韩建伟 张振龙 
国防基础科研计划(编号:Y56701A34S);'十三五'装备预研领域基金(编号:Y5BZ18AI80)资助项目
航天器充电效应导致的空间静电放电(SESD)作用于星载电子设备会使敏感电路和器件产生各种'软错误',最终可能导致设备或系统异常甚至整星失效.目前,关于SESD对空间电子设备,尤其是对星用器件的影响研究较少.本文选取典型的模拟电路LM124...
关键词：空间静电放电 干扰 ESD发生器 集成运放 瞬态脉冲 
K6R4016V1D芯片在低地球轨道发生单粒子效应频次的分析被引量：1
《空间科学学报》2015年第1期64-68,共5页韩建伟 封国强 余永涛 马英起 上官士鹏 陈睿 朱翔 
国家自然科学基金项目资助(41304148)
俄罗斯福布斯-土壤火星探测器于2011年11月9日携带中国首个火星探测器萤火一号进入低地球轨道(LEO),但原定于159 min后探测器在轨发动机点火变轨未能实施,最终探测计划失败.俄罗斯航天局研究分析认为,事故最可能是由于宇宙线重离子轰击...
关键词：福布斯-土壤 火星探测器 K6R4016V1D芯片 单粒子效应 
单粒子翻转敏感区定位的脉冲激光试验研究被引量：5
《原子能科学技术》2015年第1期176-180,共5页余永涛 封国强 上官士鹏 陈睿 韩建伟 
基础科研计划资助项目(A1320110028);中国科学院支撑技术项目资助(110161501038)
利用脉冲激光单粒子翻转敏感区定位成像系统,对静态随机存储器件IDT71256开展了单粒子翻转敏感区定位的试验研究。为避开器件正面金属层对激光的阻挡,试验采用背面辐照方式进行测试。试验结果表明,存储单元中存储数据类型对器件单粒子...
关键词：单粒子效应 敏感区定位 数据类型 翻转截面 
不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法被引量：6
《强激光与粒子束》2014年第7期264-269,共6页陈睿 余永涛 董刚 上官士鹏 封国强 韩建伟 马英起 朱翔 
国家自然科学基金项目(41304148);基础科研项目(A1320110028);中国科学院支撑技术项目(110161501038);中国科学院知识创新工程青年基金项目(O82111A17S)
基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、...
关键词：不同工艺尺寸 单粒子闩锁效应 SEL三维仿真模型 防护结构 重离子辐照 
CMOS器件单粒子效应电荷收集机理被引量：2
《北京航空航天大学学报》2014年第6期839-843,共5页董刚 封国强 陈睿 韩建伟 
中国科学院支撑技术资助项目(110161501038);中国科学院国家空间科学中心重点培育课题资助项目(Y32113EB3S)
针对90 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管与PMOS(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管的单粒子瞬变...
关键词：单粒子瞬变 重离子 寄生双极放大效应 反相器 电荷收集 CMOS工艺 
90nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理被引量：2
《物理学报》2014年第12期408-413,共6页陈睿 余永涛 上官士鹏 封国强 韩建伟 
国家自然科学基金(批准号:41304148);中国科学院知识创新工程青年基金(批准号:O82111A17S)资助的课题~~
基于单粒子效应脉冲激光实验装置,开展了90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器的单粒子翻转和闩锁效应实验,并给出了器件单粒子翻转效应位图.实验发现,器件出现了大量的多位翻转和约20 mA的电源电流脉冲.借助器件仿真工具,揭示了器...
关键词：单粒子闩锁效应 器件仿真 多位翻转 脉冲激光 
CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究被引量：4
《航天器环境工程》2014年第2期150-153,共4页余永涛 封国强 陈睿 蔡明辉 上官士鹏 韩建伟 
中国科学院基础科研计划项目(编号:A1320110028);中国科学院支撑技术项目(编号:110161501038)
利用脉冲激光定位成像系统,对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应(SEL)敏感区定位的试验研究。试验结果表明:该器件的单粒子锁定效应敏感区呈周期性分布,而对于单一的SEL敏感区,其长度和宽度相差很大。在此基础上进一步讨论...
关键词：单粒子锁定 敏感区定位 单粒子锁定频次 静态存储器 脉冲激光试验 
CMOS器件SEL效应电路级防护设计及试验验证被引量：3
《原子能科学技术》2014年第4期721-726,共6页陈睿 冯颖 余永涛 上官士鹏 封国强 朱翔 马英起 韩建伟 
国家自然科学基金资助项目(40974113);基础科研项目资助(A1320110028);中国科学院支撑技术项目资助(110161501038);中国科学院知识创新工程青年基金资助项目(O82111A17S)
利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种CMOS SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于CMOS电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种CMOS器件的闩锁响应特性,设计了两种CMOS器件SEL效应防护电路,并探讨了...
关键词：CMOS器件 单粒子闭锁效应 防护电路 脉冲激光 
单粒子效应TCAD数值仿真的三维建模方法
《核电子学与探测技术》2013年第3期289-295,共7页陈睿 纪冬梅 封国强 沈忱 韩建伟 
国家自然科学基金资助项目(Y0503GA160)
文中探讨了单粒子效应数值仿真建模的问题。首先,基于对单阱N+-P结构的二极管在重离子辐照下的TCAD仿真,研究电流脉冲和电荷收集特性对器件模型几何尺寸与比例的依赖关系,进一步给出了精确仿真单粒子效应所需的模型尺寸的实用标准。其次...
关键词：单粒子效应 数值仿真 TCAD 器件模型 几何效应 阱接触 
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