LDD结构

作品数：12被引量：5H指数：2
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LDD结构GaN HEMT转移特性分析
《经济技术协作信息》2021年第15期127-127,共1页李可欣 陈冲 侯佳琳 周杨鹏 于和辰 
吉林建筑大学大学生创新创业项目《LDD结构GaN HEMT转移特性分析》资助。
LDD(Low-Density Drain)结构首次提出是在1978年,该结构最早多应用在MOSFET器件上,用来提升器件的击穿电压。伴随着第三代半导体GaN材料的不断发展,目前,LDD结构也用于GaN HEMT中,LDD结构GaN HEMT称为轻掺杂漏高电子迁移率器件。LDD结构...
关键词：LDD结构 MOSFET器件 击穿电压 GAN材料 HEMT 高电子迁移率器件 轻掺杂漏 转移特性 
LDD结构GaN HEMT器件制备工艺流程介绍
《经济技术协作信息》2021年第14期125-125,共1页李可欣 陈冲 侯佳琳 周杨鹏 何佳旺 
吉林建筑大学大学生创新创业项目《LDD结构GaN HEMT转移特性分析》资助。
完整的LDD GaN HEMT器件制作过程主要分为GaN材料生长和器件制作两个主要部分,由于自然界中没有天然的GaN材料,目前大多数GaN材料采用MOCVD以及HPVE方法进行生长。GaN材料的生长质量和器件的制备工艺共同决定了LDD GaN HEMT器件的性能,...
关键词：GAN材料 器件制作 势垒层 漏极 HEMT 缓冲层 源极 MOCVD 
Halo LDD多晶硅TFT载流子效应研究
《微计算机信息》2009年第19期238-239,198,共3页吕志娟 钟传杰 
基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了HaloLDD多晶硅薄膜晶体管工艺参数对热载流子效应的影响。结果表明,器件的热载流子效应随着Halo区掺杂剂量的增加而变得更加严重;随着掺杂能量的增加,热载流子退化均表现为先增加后减小的变化趋势,...
关键词：多晶硅TFT HALO LDD结构 热载流子退化 MEDICI Tsuprem4 
Halo LDD结构多晶硅薄膜晶体管的模拟研究
《电子器件》2008年第6期1783-1785,1789,共4页刘小红 顾晓峰 于宗光 
江苏省自然科学基金项目资助(BK2007026);教育部新世纪优秀人才支持计划资助(NCET-06-0484)
提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,这种结构是在基于LDD结构的基础上,在沟道靠近源、漏端引入高掺杂的Halo区。并利用工艺和器件模拟软件对该Halo LDD P-Si TFT的电学特性进行了分析,并将其与常规结构、LDD结构和Halo结构进...
关键词：多晶硅薄膜晶体管 HALO LDD 模拟 
35KCMOS器件LDD结构的SPICE宏模型被引量：2
《红外与毫米波学报》2008年第6期465-469,共5页刘文永 丁瑞军 冯琪 
预先研究(61501050303)资助项目
针对BSIM3v3模型在35K低温下无法模拟LDD(轻掺杂漏区)所引起的串联电阻异常,提出了可以模拟这一异常的SPICE宏模型.通过修改CMOS器件常温BSIM3v3模型中的一些与温度有关的参数值,得到35K BSIM3v3模型.模拟结果表明,根据此模型进行参数...
关键词：轻掺杂漏区 串联电阻 BSIM3V3 SPICE模型 CMOS 低温 
LDD结构参数对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响
《液晶与显示》2008年第6期692-695,共4页吕志娟 韩郑生 钟传杰 
基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了LDD结构对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响。计算结果表明当栅氧层厚度tox=0.07μm时,碰撞离化产生率和热电子注入电流峰值将达到最大,扩展区掺杂浓度增加,使沟道中横向电场和碰撞离化产生率的...
关键词：多晶硅薄膜晶体管 热载流子退化 MEDICI Tsuprem4 
薄膜全耗尽CMOS/SOI器件研究被引量：1
《浙江工业大学学报》2007年第6期650-653,共4页颜志英 王雄伟 丁峥 
浙江省自然科学基金资助项目(Y105607)
在对全耗尽SOIMOS器件进行了大量研究的基础上,采用金属栅工艺,并采用了LDD结构以减小热载流子效应,防止漏的击穿,还采用了突起的源漏区,以增加源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,以增强器件的电流驱动能力,降低了寄生电阻,减小了静...
关键词：双多晶硅栅 LDD结构 SOICMOS器件 
基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究被引量：2
《电子器件》2006年第2期325-329,共5页张新 刘梦新 高勇 洪德杰 王彩琳 邢昆山 
介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求。根据电路的性能特点,采用绝缘体上硅结构,选用薄膜全耗尽SOICMOS工艺进行试制。测试结果表明:与同类体硅电路相比,工作频率...
关键词：全耗尽 SOI CMOS LDD结构 LDS结构 脉冲测定 
热载流子退化对集成电路可靠性的影响及应对
《玉林师范学院学报》2004年第3期39-42,共4页刘峰 梁勇强 
分析了热载流子退化现象对集成电路可靠性的影响,研究了改善热载流子退化的计算机工艺模拟技术、按比例缩小的准恒定电压理论、LDD结构MOS晶体管。
关键词：热载流子 可靠性 LDD结构 
薄膜全耗尽SOI CMOS工艺技术研究
《集成电路通讯》2004年第1期7-10,20,共5页徐春叶 刘善喜 
对1.2μ薄膜全耗尽SOI CMOS(TFD SOI CMOS)器件和电路进行了研究,硅膜厚度为 80nm。器件采用LDD结构,以提高击穿电压、抑制断沟道效应和热载流子效应;对沟道掺杂能量和剂量进行了摸索,确保一定的开启电压和器件的全耗尽;为了减小"鸟嘴"...
关键词：LDD结构 薄膜全耗尽SOI CMOS 热载流子效应 溅Ti硅化物 PBL隔离 短沟道效应 
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