多晶硅TFT

作品数:31被引量:23H指数:3
导出分析报告
相关领域:电子电信更多>>
相关作者:孟志国吴春亚熊绍珍赵淑云王文更多>>
相关机构:南开大学京东方科技集团股份有限公司广东中显科技有限公司三星电子株式会社更多>>
相关期刊:《半导体杂志》《微型计算机》《光电子技术》《华南理工大学学报(自然科学版)》更多>>
相关基金:吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
氧化锌基薄膜晶体管的进展与挑战
《经济技术协作信息》2020年第36期133-133,共1页田思野 刘作淋 肖丹 胡小强 周路 
大学生创新创业训练项目:氧化锌基薄膜晶体管的制备与性能研究(202010191035);吉林省教育厅“十三五”科学技术研究项目:基于喷墨打印技术的ZnO-TFT界面调控及器件性能研究(JJKH20190865KJ)。
透明电子学由于其优异的电学性能在下一代高性能平板显示应用中受到了广泛的关注和研究。在显示应用中,薄膜晶体管(TFT)作为控制像素的基本单元发挥着重要作用。其中,基于氧化物的TFT具有高迁移率,良好的透明性,优异的均匀性和较低的加...
关键词:平板显示 高迁移率 多晶硅TFT 加工温度 氧化锌 电学性能 基本单元 透明性 
爱普生宣布量产高分辨率相机电子取景器面板
《照相机》2013年第4期87-87,共1页
爱普生近日在日本东京宣布,开始量产用于数码相机电子取景器的高分辨率XVGALCD面板。爱普生L3F04X-80300C高温多晶硅TFT彩色面板有效分辨率达到1024×768像素。1677万色,色域达到92%sRGB。
关键词:电子取景器 LCD面板 高分辨率 数码相机 爱普生 布量 多晶硅TFT 日本东京 
JDI推耗电量仅3mW的反射型液晶面板
《现代显示》2012年第11期56-57,共2页
日本显示器公司开发出了显示静止图片时耗电量仅为3mW的反射型液晶面板,屏幕尺寸为7.03英寸,适用于要求低耗电量的移动产品。此次开发品的驱动元件采用了低温多晶硅TFT,通过在各个像素内形成存储电路以保存写入的图像数据,实现了...
关键词:液晶面板 耗电量 反射型 多晶硅TFT 显示器 屏幕尺寸 移动产品 驱动元件 
“基于低温多晶硅TFT基板的有源OLED关键技术研发”通过验收
《华南理工大学学报(自然科学版)》2012年第9期138-138,共1页
华南理工大学材料科学学院彭俊彪教授课题组负责,并与南开大学、创维集团联合开发的国家“863计划”新型平板显示重大项目“基于低温多晶硅TFT基板的有源OLED关键技术研发”,于2012年7月1日通过由科技部主持的结题验收会。验收专家组...
关键词:有源OLED 多晶硅TFT 研发 技术 基板 低温 国家“863计划” 华南理工大学 
多晶硅薄膜晶体管性能研究被引量:1
《现代显示》2011年第5期37-41,共5页王江涛 陈向宁 
文章首先提出多晶硅薄膜晶体管几种减小漏电流的方法,接着对采用超薄沟道结构和普通沟道结构的多晶硅薄膜晶体管的电特性进行对比,发现采用超薄沟道结构具有优越性,最后分析了器件特性与材料性质之间的关系。
关键词:多晶硅TFT 漏电流 超薄沟道结构 
厦门火炬高新区:打造光电产业集群
《中国高新技术企业》2011年第1期I0003-I0003,共1页
近日,厦门火炬高新区与中国航空工业集团旗下的中国航空技术深圳有限公司和中国航空技术厦门有限公司达成项目合作协议,在火炬(翔安)产业区建设第5.5代低温多晶硅TFT—LCD及彩色滤光片生产线。该项目建成投产后,年产值可达60多亿...
关键词:产业集群 高新区 火炬 厦门 中国航空工业 光电 多晶硅TFT 航空技术 
关键词
《华东科技》2011年第1期8-9,共2页
下一代平板显示 近日从昆山工研院新型平板显示技术中心传出消息,昆山平板显示中心和维信诺公司在国内率先全线打通了低温多晶硅TFT背板和OLED显示屏制造工艺技术,成功开发出2.8英寸彩色AMOLED显示屏,实现了RGB三基色显示。
关键词:OLED显示屏 关键词 平板显示 制造工艺技术 多晶硅TFT 维信诺公司 技术中心 工研院 
以“像素存储器”实现低耗电友达光电和奇美展示新型液晶面板
《现代显示》2010年第12期54-54,共1页
通过在各像素中形成存储器电路来保持写入的图像数据,实现低耗电——友达光电(AUO)和奇美电子(CMI)两公司展出了“像素存储器”型液晶面板,在像素的驱动元件和存储器电路上采用了低温多晶硅TFT。友达光电的开发品有支持彩色显示...
关键词:液晶面板 存储器 低耗电 像素 光电 多晶硅TFT 彩色显示 图像数据 
Halo LDD多晶硅TFT载流子效应研究
《微计算机信息》2009年第19期238-239,198,共3页吕志娟 钟传杰 
基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了HaloLDD多晶硅薄膜晶体管工艺参数对热载流子效应的影响。结果表明,器件的热载流子效应随着Halo区掺杂剂量的增加而变得更加严重;随着掺杂能量的增加,热载流子退化均表现为先增加后减小的变化趋势,...
关键词:多晶硅TFT HALO LDD结构 热载流子退化 MEDICI Tsuprem4 
多晶硅TFT热载流子效应的模拟研究
《电子与封装》2009年第3期11-14,共4页陶晶晶 岑晨 刘小红 顾晓峰 钟传杰 于宗光 
江苏省高等学校大学生实践创新训练计划;教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0484);江苏省自然科学基金(BK2007026)资助项目
热载流子效应引起的器件电学特性退化会严重影响电路的工作性能。文章结合多晶硅薄膜晶体管沟道电流的理论模型,讨论了热载流子效应与界面陷阱的关系。沟道载流子在大的漏电场牵引下,运动到漏结附近获得很大的能量从而成为热载流子。如...
关键词:多晶硅薄膜晶体管 热载流子效应 界面陷阱 模拟 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部