热载流子退化

作品数：29被引量：18H指数：2
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不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究被引量：1
《电子学报》2016年第2期348-352,共5页刘斯扬 于朝辉 张春伟 孙伟锋 苏巍 张爱军 刘玉伟 吴世利 何骁伟 
航空科学基金(No.20122469);东南大学无锡分校科研引导资金
本文详细研究了不同栅压应力下1.8V p MOS器件的热载流子退化机理.研究结果表明,随着栅压应力增加,电子注入机制逐渐转化为空穴注入机制,使得p MOS漏极饱和电流(Idsat)、漏极线性电流(Idlin)及阈值电压(Vth)等性能参数退化量逐渐增加,但...
关键词：热载流子 不同栅压应力 正反向退化 
SOI高压器件热载流子退化研究(英文)
《北京大学学报（自然科学版）》2014年第4期632-636,共5页韩临 何燕冬 张钢刚 
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助
提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LD...
关键词：高压横向扩散场效应晶体管 多区域直流电压电流技术 界面态 热载流子退化 
动态应力下功率n-LDMOS器件热载流子退化恢复效应被引量：2
《东南大学学报（自然科学版）》2013年第4期691-694,共4页徐申 张春伟 刘斯扬 王永平 孙伟锋 
国家自然科学基金资助项目(61204083);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-10-0331);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011059);东南大学无锡分校科研引导资金助项目
针对功率n-LDMOS器件在动态应力条件下的热载流子退化恢复效应进行了实验和理论研究.电荷泵实验测试和器件专用计算机辅助软件的仿真分析结果表明,在施加不同的动态应力条件下,功率n-LDMOS器件存在2种主要的热载流子退化机理,即鸟嘴区...
关键词：热载流子 恢复效应 退陷阱效应 电荷泵 
pLEDMOS导通电阻及阈值电压的热载流子退化被引量：2
《东南大学学报（自然科学版）》2011年第3期522-525,共4页郑维山 孙虎 刘斯扬 孙伟锋 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA01Z135);国家自然科学基金资助项目(60876017;61006018);江苏省科技支撑计划资助项目(BE2009143)
研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验结果表明,增加漂移区长度能改善器件的导通电阻的退化,但加速了阈值电压的退化;增加栅场极板长度可以同...
关键词：pLEDMOS 热载流子注入 导通电阻 阈值电压 退化 
Halo LDD多晶硅TFT载流子效应研究
《微计算机信息》2009年第19期238-239,198,共3页吕志娟 钟传杰 
基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了HaloLDD多晶硅薄膜晶体管工艺参数对热载流子效应的影响。结果表明,器件的热载流子效应随着Halo区掺杂剂量的增加而变得更加严重;随着掺杂能量的增加,热载流子退化均表现为先增加后减小的变化趋势,...
关键词：多晶硅TFT HALO LDD结构 热载流子退化 MEDICI Tsuprem4 
基于DCIV法对pMOSFET热载流子损伤的研究被引量：1
《半导体技术》2009年第3期240-243,共4页冯志刚 何波涌 
国家自然科学基金资助项目(NSFC60606015);上海交通大学微电子学院科研基金资助项目(C071026)
利用新型的直流电流电压(DCIV)法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为,并对热载流子应力下pMOSFET的阈值电压和线性区漏端电流的退化机制做出了物理解释。实验发现在栅极电压较高的热载流子应力条件下...
关键词：PMOSFET 热载流子退化 表面态 氧化层电荷 
LDD结构参数对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响
《液晶与显示》2008年第6期692-695,共4页吕志娟 韩郑生 钟传杰 
基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了LDD结构对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响。计算结果表明当栅氧层厚度tox=0.07μm时,碰撞离化产生率和热电子注入电流峰值将达到最大,扩展区掺杂浓度增加,使沟道中横向电场和碰撞离化产生率的...
关键词：多晶硅薄膜晶体管 热载流子退化 MEDICI Tsuprem4 
金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/f~γ噪声相关性研究被引量：7
《物理学报》2008年第4期2468-2475,共8页刘宇安 杜磊 包军林 
研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷阱和界面陷阱的形成理论,结合MOS器件1/f噪声产生机制,并用双声子发射模型模拟了栅氧化层缺陷波函数与器...
关键词：金属氧化物半导体场效应管 热载流子 1/f^y噪声 
一种VLSI热载流子退化的嵌入式实时预测方法被引量：1
《微电子学》2007年第2期180-184,共5页赵俊晖 庄奕琪 李小明 
国家"十一.五"预研基金资助项目(51308040103)
提出了一种VLSI热载流子退化的嵌入式实时预测方法,并在0.18μm CMOS混合信号工艺下完成了预测电路设计。当VLSI热载流子退化引起的瞬态性能退化超过预设的界限时,预测电路会发出一个报警信号。它只占用很小的芯片面积,同时它几乎不与...
关键词：热载流子 实时预测 可靠性 VLSI 
金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热载流子应力退化特性及模型研究
《苏州大学学报（工科版）》2007年第1期7-11,共5页朱臻 
国家自然科学基金项目(编号60406001)
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)广泛应用于平板显示。从开态和关态两个方面,研究了热载流子(HC)应力下,N型金属诱导横向结晶(MILC)LTPS TFT器件退化特性及模型。
关键词：多晶硅薄膜晶体管 金属诱导横向结晶 热载流子退化 可靠性 开态特性 关态特性 
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