刘宇安

作品数：14被引量：26H指数：3
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供职机构：井冈山大学电子与信息工程学院更多>>
发文主题：F线圈匝数MOSFET噪声非晶薄带更多>>
发文领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《传感技术学报》《井冈山大学学报（自然科学版）》《物理学报》《功能材料》更多>>
所获基金：国家自然科学基金江西省教育厅科技计划项目江西省自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
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氟掺杂氧化锡薄膜电活性缺陷密度的太赫兹谱探测
《井冈山大学学报（自然科学版）》2021年第4期76-80,共5页郭利桃 喻小香 李真瑞 刘宇安 
江西省教育厅科技计划项目(GJJ160743)。
从理论上分析了电场应力前后氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜的能带结构和传导机理,提取了应力前后FTO薄膜的太赫兹电导率。采用Drude模型对应力前的FTO薄膜太赫兹(THz)电导进行了仿真;采用了Hopping模型对应力后的THz电导进行了仿真,实验与仿真...
关键词：FTO 陷阱密度 THz电导谱 
多层陶瓷电容的二维电子噪声研究
《新一代信息技术》2019年第24期24-29,共6页刘宇安 
江西省教育厅科技项目(项目编号:GJJ160743);井冈山大学博士科研启动基金项目(项目编号:JZB15001)资助的课题。
多层陶瓷电容的电子噪声对其损伤和退化很敏感,采用电子噪声对多层陶瓷电容进行可靠性表征,需建立明晰的多层陶瓷电容电子噪声模型。然而,现有模型只考虑了寄生电阻中电子涨落并没有考虑电容介质极化子的涨落,无法合理解释多层陶瓷电容...
关键词：多层陶瓷电容 二维电子噪声 高阶统计量 
基于KFDD与进化算法的可逆电路优化算法
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》2018年第3期375-382,共8页卜登立 刘欢 刘宇安 
国家自然科学基金(61640412);江西省教育厅科技计划项目(GJJ160746);流域生态与地理环境监测国家测绘地理信息局重点实验室资助课题(WE2016012);江西省自然科学基金(20171BAB202010)~~
为降低由Kronecker功能决策图(Kronecker functional decision diagram,KFDD)综合所得可逆电路的成本,提出一种基于进化算法的可逆电路优化算法。该算法基于遗传算法模型进行设计,分别采用离散值和整型值编码KFDD输入变量的分解类型和顺...
关键词：可逆电路 Kronecker功能决策图 进化算法 变量顺序 分解类型 
用控制变量法探究电磁感应定律的实验装置设计被引量：2
《井冈山大学学报（自然科学版）》2015年第5期30-32,共3页蒋达国 孙心瑗 刘宇安 李久明 
江西省教育厅教学改革项目(11064005);江西省教育厅科技计划项目(GJJ14553);江西省原子与分子物理重点学科资助项目(2011-2015)
设计了一种用控制变量法探究法拉第电磁感应定律的实验装置,可以定性和定量地探究感应电动势与磁通量的变化量、磁通量的变化时间和线圈匝数之间的关系。用发光二极管的亮度和电容器的电压来表征感应电动势的大小;用磁铁从线圈中水平抽...
关键词：感应电动势 磁通量的变化量 磁通量的变化时间 线圈匝数 
法拉第电磁感应定律探究实验装置
《湖南中学物理》2015年第1期55-57,共3页吴常健 孙心瑗 刘宇安 吕军强 蒋达国 
江西省教育厅教改重点资助项目(11064005);江西省教育厅科技资助项目(GJJ14553);教育部大学生创新资助项目(201410419001);江西省原子与分子物理重点学科资助项目(2011-2015)
设计了一种探究法拉第电磁感应定律的实验装置,可以定性和定量地探究感应电动势与磁通量的变化量、磁通量的变化时间和线圈匝数之间的关系。用发光二极管的亮度和电容器的电压来表征感应电动势的大小;用磁铁的磁感应强度表征磁通量的变...
关键词：感应电动势 磁通量的变化量 磁通量的变化时间 线圈匝数 
氮化镓基蓝光发光二极管伽马辐照的1/f噪声表征被引量：5
《物理学报》2013年第14期102-108,共7页刘宇安 庄奕琪 杜磊 苏亚慧 
国家自然科学基金(批准号:61076101)资助的课题~~
通过电离辐照对氮化镓基蓝光发光二极管器件有源区光/暗电流产生机制的研究,建立了电离辐照减小发光二极管有效输出功率电学模型.通过电离辐照对氮化镓基蓝光发光二极管器件有源区1/f噪声影响机制的研究,建立了电离辐照增大发光二极管1/...
关键词：1 f噪声 电离辐照 氮化镓基蓝光发光二极管 
高k栅栈MOSFET共振隧穿模型
《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第10期1040-1047,共8页刘宇安 庄奕琪 杜磊 李聪 陈华 曲成立 
国家自然科学基金(批准号:61076101);中央高校基本科研业务研究基金(编号:k50511050004)资助项目
针对高介电常数(k)栅堆栈金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)实际结构,建立了入射电子与界面缺陷共振高k栅栈结构共振隧穿模型.通过薛定谔方程和泊松方程求SiO2和高k界面束缚态波函数,...
关键词：高k堆栈栅 MOSFET 共振隧穿 
基于转移矩阵法确定高k介质中泄漏电流共振隧穿机制的存在性被引量：1
《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第4期327-332,共6页曲成立 杜磊 刘宇安 庄奕琪 陈华 李晨 牛文娟 
国家自然科学基金资助项目(批准号:61076101)
栅隧穿电流已成为制约MOS器件继续缩小的因素之一.为了掌握和控制高k栅栈的栅电流,必须全面了解其中存在的各种隧穿机制.考虑高k介质和二氧化硅间的界面陷阱,建立了高栅栈MOSFET中沟道与栅极交换载流子的双势垒隧穿物理模型.采用量子力...
关键词：高k介质 MOSFET 栅电流 共振隧穿 
漏雪崩热载流子应力MOSFET的1/f噪声产生机理研究
《井冈山大学学报（自然科学版）》2010年第3期27-30,44,共5页刘宇安 
江西省自然科学基金项目(2009GQW0010);江西省教育厅科技计划项目(GJJ10203);井冈山大学2008年科研课题项目(JZ0804)
研究了DAHC(漏雪崩热载流子)应力下MOSFEF的1/f噪声特性。从各种热载流子与缺陷相互作用的角度,进一步研究了DAHC应力MOSFEF的1/f噪声产生机理,合理解释其作为器件最大损伤应力。基于噪声机理明确了DAHC应力下MOSFEF的1/f噪声模型中各...
关键词：MOSFEF 漏雪崩热载流子 1/f噪声 
铁基非晶薄带的磁感应效应被引量：7
《功能材料》2009年第5期745-747,751,共4页蒋达国 朱正吼 刘宇安 
国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合资助项目(10576014)
研究了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带磁感应效应的影响因数。结果表明,磁感应效应变化幅度随着磁场强度的增大而增大;当测试频率为30kHz,薄带长度为3cm,线圈匝数为300匝时,淬火态非晶薄带的磁感应效应变化幅度最大;与淬火态非晶薄带相比...
关键词：非晶薄带 磁感应效应 薄带长度 线圈匝数 退火 
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