陈华

作品数：15被引量：37H指数：3
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：散粒噪声栅氧化层抗菌纸纸制品噪声测试更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>
发文期刊：《科技风》《物理学报》《微纳电子技术》《新课程研究》更多>>
所获基金：国家自然科学基金西安应用材料创新基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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校院两级管理改革背景下,关于高校管理部门职能转变的研究
《科技风》2021年第1期181-182,共2页张士红 孙立锐 陈华 
校院两级管理是现代大学的基本运行方式。校院两级管理模式下,学校各类资源、人财物事等权利职能逐步下放至教学科研单位,管理部门的资源分配、业务管理、行政指令等职能大幅减少,这种背景下,管理部门运行方式、管理模式、工作内容必随...
关键词：高等学校 两级管理 职能转变 
通识教育课程“新能源发展与技术变革”教学方法研究
《新课程研究》2020年第33期7-8,共2页胡英 何亮 陈华 
西安电子科技大学2020年本科教育教学改革及质量提升研究项目“《新能源发展与技术变革》——通识教育课程建设及教学方法研究”(项目编号:JG202005);西安电子科技大学2019年本科教育教学改革及质量提升研究项目“《新生研讨课》——材料菁英人才教育开篇”(项目编号:BJ201907)的研究成果。
为深化高等教育教学改革和“双一流”大学建设,在高校推广高等教育通识课建设十分必要。文章以“新能源发展与技术变革”通识教育课程的专业性和通识性为基础,分别从课程背景及特色、教学问题及分析、方案规划及实施、经验推广及总结几...
关键词：通识教育 “双一流”建设 综合素质 专业兴趣 创新能力 
厚膜集成电路工艺校内生产实习研究被引量：1
《实验科学与技术》2016年第2期173-175,共3页张显 曹全喜 何亮 孙鹏 陈华 
西安电子科技大学实验教改项目(JG1321)
该文结合厚膜集成电路生产工艺的校内生产实习特点,简化了生产工艺过程,并让学生认识到校内生产工艺和企业生产的差异。通过到相关企业制作生产工艺录像,制作多媒体课件,补充校内的生产工艺的教学环节,完善了校内生产实习的内容。
关键词：生产实习 校内实习 视频课件 厚膜集成电路 
金属互连电迁移噪声的非高斯性模型研究
《物理学报》2012年第20期358-366,共9页何亮 杜磊 黄晓君 陈华 陈文豪 孙鹏 韩亮 
国家自然科学基金(批准号:61106062);中央高校基本科研业务费(批准号:K50511050007)资助的课题~~
根据电子散射理论,多晶互连中,电阻主要起源于晶界处空位与空洞对电子的散射作用.通过引入自由体积的概念,模拟了晶界处电子的散射过程,建立了基于自由体积的噪声非高斯性表征模型.该模型表明,电迁移前期的噪声信号以高斯噪声为主,随电...
关键词：电迁移 噪声 非高斯性 
高k栅栈MOSFET共振隧穿模型
《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第10期1040-1047,共8页刘宇安 庄奕琪 杜磊 李聪 陈华 曲成立 
国家自然科学基金(批准号:61076101);中央高校基本科研业务研究基金(编号:k50511050004)资助项目
针对高介电常数(k)栅堆栈金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)实际结构,建立了入射电子与界面缺陷共振高k栅栈结构共振隧穿模型.通过薛定谔方程和泊松方程求SiO2和高k界面束缚态波函数,...
关键词：高k堆栈栅 MOSFET 共振隧穿 
基于转移矩阵法确定高k介质中泄漏电流共振隧穿机制的存在性被引量：1
《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第4期327-332,共6页曲成立 杜磊 刘宇安 庄奕琪 陈华 李晨 牛文娟 
国家自然科学基金资助项目(批准号:61076101)
栅隧穿电流已成为制约MOS器件继续缩小的因素之一.为了掌握和控制高k栅栈的栅电流,必须全面了解其中存在的各种隧穿机制.考虑高k介质和二氧化硅间的界面陷阱,建立了高栅栈MOSFET中沟道与栅极交换载流子的双势垒隧穿物理模型.采用量子力...
关键词：高k介质 MOSFET 栅电流 共振隧穿 
纳米器件电流噪声的散射理论统一模型研究被引量：3
《物理学报》2011年第9期577-585,共9页唐冬和 杜磊 王婷岚 陈华 贾晓菲 
国家自然科学基金(批准号:60376023)资助的课题~~
传统散射理论在研究器件噪声特性时,并没有考虑非相干输运和库仑作用对散粒噪声的抑制,而在实际纳米器件中这两种效应不可忽略.本文基于散射区等效接触端模型推导了考虑上述两种效应的电流噪声散射理论统一模型,该模型适用于从相干输运...
关键词：电流噪声 散射理论 统一模型 
纳米尺度MOSFET过剩噪声的定性分析被引量：2
《物理学报》2011年第10期568-572,共5页唐冬和 杜磊 王婷岚 陈华 陈文豪 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB631002)资助的课题~~
最近实验表明纳米尺度MOSFET中的过剩噪声主要为散粒噪声,而此前研究认为MOSFET中不存在散粒噪声,短沟道MOSFET中的过剩噪声为热噪声.本文基于器件电流模型分析散粒噪声取代热噪声成为过剩噪声主要成分的转变条件,根据该条件对纳米尺度M...
关键词：散粒噪声 过剩噪声 纳米尺度MOSFET 
电子器件散粒噪声测试方法研究被引量：21
《物理学报》2011年第5期159-166,共8页陈文豪 杜磊 庄奕琪 包军林 何亮 陈华 孙鹏 王婷岚 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2010CB631002)资助的课题~~
本文分析了超导量子干涉器(SQUID)和超导-绝缘-超导(SIS)约瑟夫森结散粒噪声测试方法的应用局限性,提出了常规器件的散粒噪声测试方案.针对常规电子器件散粒噪声特性,研究了噪声测试基本条件,并建立了低温测试系统.通过采用双层屏蔽结...
关键词：散粒噪声 电子器件 噪声测试 
量子点接触器件电势准3D数值模型和模拟方法
《电子科技》2010年第5期12-14,共3页康宇 杜磊 陈华 孙亚杰 
西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200603)
采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件(QPC)内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。结果表明,器件中的电势分布随结构和偏...
关键词：QPC 自洽模拟 三维泊松方程 电势分布 
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