陈文豪

作品数：17被引量：49H指数：3
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供职机构：西南电子技术研究所更多>>
发文主题：散粒噪声低频噪声噪声噪声测试G-R噪声更多>>
发文领域：电子电信电气工程理学更多>>
发文期刊：《电子元件与材料》《物理学报》《混合微电子技术》《微纳电子技术》更多>>
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20 nm金属氧化物半导体场效应晶体管的噪声特性分析
《电子元件与材料》2022年第10期1060-1065,共6页贾晓菲 魏群 崔智军 丁兵 陈文豪 
国家自然科学基金(12174004);国家青年科学基金(61801005);陕西省科技厅项目(2022JM-391);安康学院应急管理专项(2020AYYJ01)。
传统短沟道的纳米MOSFET噪声主要为受抑制的散粒噪声,其次为热噪声;在建立器件的噪声模型时,并没有考虑栅极噪声源与源极噪声源二者之间的电荷耦合,其耦合效应会形成互相关噪声。实验测试了20 nm MOSFET的噪声,结果分析得到短沟道MOSFE...
关键词：MOSFET 互相关噪声 抑制散粒噪声 热噪声 
纳米MOSFET器件电流噪声测试方法研究被引量：2
《电子元件与材料》2016年第12期45-48,共4页贾晓菲 陈文豪 丁兵 何亮 
国家自然科学基金重点项目(No.61076101);陕西省教育厅科学研究计划项目(No.16JK1016)
针对常规纳米尺度电子元器件的噪声特性,研究其噪声的基本测试条件,并建立测试系统。在屏蔽条件下采用低温装置和超低噪声前置放大器,能有效抑制外界干扰。应用该系统对实际纳米MOSFET器件进行噪声测试得到其电流噪声,在测试基础上通过...
关键词：纳米MOSFET 噪声测试 低温装置 电流噪声 散粒噪声 热噪声 
金属互连电迁移噪声的非高斯性模型研究
《物理学报》2012年第20期358-366,共9页何亮 杜磊 黄晓君 陈华 陈文豪 孙鹏 韩亮 
国家自然科学基金(批准号:61106062);中央高校基本科研业务费(批准号:K50511050007)资助的课题~~
根据电子散射理论,多晶互连中,电阻主要起源于晶界处空位与空洞对电子的散射作用.通过引入自由体积的概念,模拟了晶界处电子的散射过程,建立了基于自由体积的噪声非高斯性表征模型.该模型表明,电迁移前期的噪声信号以高斯噪声为主,随电...
关键词：电迁移 噪声 非高斯性 
静电放电对功率肖特基二极管I-V及低频噪声特性的影响被引量：4
《物理学报》2012年第13期408-415,共8页刘玉栋 杜磊 孙鹏 陈文豪 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB631002)资助的课题~~
本文基于人体放电模型分别对肖特基势垒二极管的阴极和阳极进行同一电压脉冲下的多次放电,利用热电子发射理论、1/f噪声的迁移率涨落模型和白噪声理论,分别深入研究静电放电损伤对器件I-V和低频噪声的影响.结果表明,静电放电作用于肖特...
关键词：肖特基二极管 低频噪声 静电放电 
准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声的抑制研究被引量：5
《物理学报》2012年第12期467-474,共8页贾晓菲 杜磊 唐冬和 王婷岚 陈文豪 
国家自然科学基金(批准号:61076101)资助的课题~~
目前研究准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声的抑制时,采取了完全不考虑其抑制,或只强调抑制的存在而并未给出抑制公式的方式进行研究.本文基于Navid模型推导了准弹道输运纳米MOSEET散粒噪声,并得到了其在费米作用、库仑作用和二者共同作用...
关键词：散粒噪声 抑制因子 纳米MOSFET 
基于1/f噪声变化的pn结二极管辐射效应退化机理研究被引量：3
《物理学报》2012年第12期534-540,共7页孙鹏 杜磊 何亮 陈文豪 刘玉栋 赵瑛 
国家自然科学基金(批准号:61106062)资助的课题~~
基于pn结二极管辐射效应退化机理中位移效应和电离效应之间的关系,并结合pn结二极管辐射退化的噪声机理,得到了pn结二极管辐射诱导低频噪声的变化规律,发现两种效应引起的二极管噪声变化规律之间的不一致性.根据实验得到的噪声变化规律...
关键词：PN结 辐照损伤 1/f噪声 损伤 
金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究
《物理学报》2012年第10期442-446,共5页孙鹏 杜磊 陈文豪 何亮 张晓芳 
国家自然科学基金(批准号:61106062)资助的课题~~
基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐射应力引起的氧化层陷阱电荷、界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量之间定量关系的模型.根据模型...
关键词：界面陷阱 氧化层陷阱 金属-氧化物-半导体场效应管 辐射 
基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管潜在缺陷退化模型被引量：1
《物理学报》2012年第6期446-452,共7页孙鹏 杜磊 陈文豪 何亮 
国家自然科学基金(批准号:60276028)资助的课题~~
基于金属-氧化物-半导体-场效应管(MOSFET)辐射损伤的微观机理,推导出了MOSFET经历辐照之后氧化层空穴俘获与阈值电压漂移之间关系的表达式.又根据MOSFET中1/f噪声产生的微观机理,建立了辐照之前MOSFET的1/f噪声功率谱幅值与阈值电压漂...
关键词：1/f噪声 潜在缺陷 界面陷阱 氧化层陷阱 
纳米尺度MOSFET过剩噪声的定性分析被引量：2
《物理学报》2011年第10期568-572,共5页唐冬和 杜磊 王婷岚 陈华 陈文豪 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB631002)资助的课题~~
最近实验表明纳米尺度MOSFET中的过剩噪声主要为散粒噪声,而此前研究认为MOSFET中不存在散粒噪声,短沟道MOSFET中的过剩噪声为热噪声.本文基于器件电流模型分析散粒噪声取代热噪声成为过剩噪声主要成分的转变条件,根据该条件对纳米尺度M...
关键词：散粒噪声 过剩噪声 纳米尺度MOSFET 
PbS红外探测器低频噪声物理模型及缺陷表征研究被引量：2
《物理学报》2011年第10期573-578,共6页陈文豪 杜磊 殷雪松 康莉 王芳 陈松 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB631002)资助的课题~~
为了表征PbS薄膜光导红外探测器的材料缺陷,详细推导了1/f和产生-复合(g-r)噪声物理模型,并由实验数据验证了模型的准确性.利用1/f噪声与表面缺陷关系,计算了不同偏压下表面陷阱密度.得到该值随偏压升高而增加,由此得出1/f噪声与所加偏...
关键词：红外探测器 1/f噪声 G-R噪声 缺陷 
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