纳米MOSFET

作品数：25被引量：21H指数：2
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10 nm金属氧化物半导体场效应晶体管中的热噪声特性分析
《物理学报》2023年第22期270-276,共7页贾晓菲 魏群 张文鹏 何亮 武振华 
国家自然科学基金(批准号:11965005,11964026);陕西省自然科学基金(批准号:2023-JC-YB-021,2020JM-621);中央高校基本科研业务费专项资金资助的课题。
随着金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件等比例缩小至纳米级的较小尺寸,一方面导致的短沟道效应已严重影响热噪声;另一方面使栅、源、漏区及衬底区的热噪声占有比越来越高,而传统热噪声模型主要考虑较大尺寸器件的沟道热噪声,且...
关键词：热噪声 纳米MOSFET 短沟道效应 器件效率 
栅介质对随机掺杂波动引起MOSFET性能变化的影响
《半导体技术》2020年第2期145-149,共5页司鹏 姚丰雪 章凯 吕伟锋 
国家自然科学基金资助项目(61571171);浙江省自然科学基金资助项目(LY18F040005).
根据纳米MOSFET的紧凑模型,采用HSPICE的蒙特卡罗分析方法,研究随机掺杂波动(RDF)引起的纳米MOSFET模拟/射频性能包括栅极电容、截止频率、跨导和输出电导等参数的变化标准差,同时通过改变栅介质的介电常数(ε)和等效氧化层厚度(dox),...
关键词：随机掺杂波动(RDF) 纳米MOSFET 等效栅介质 模拟/射频性能 蒙特卡罗分析 
面向低功耗高频应用的40 nm MOSFET漏极电流噪声建模
《固体电子学研究与进展》2019年第5期329-332,共4页徐振洋 李博 王军 
国家自然科学基金资助项目(69901003);四川省教育厅科研资助项目(18ZA0502)
针对40 nm MOSFET和表征其噪声机理的漏极电流噪声进行了研究,从强反型区到弱反型区对高频特性进行了测量和分析,建立了一个基于物理的40 nm MOSFET漏极电流噪声简洁模型。77 K和300 K温度条件下的研究结果表明:在低压弱相互作用条件下,...
关键词：纳米MOSFET 弱反型区 噪声机理 低功耗 高频 
纳米MOSFET毫米波噪声的简洁模型被引量：2
《强激光与粒子束》2019年第8期61-65,共5页刘人豪 王军 
国家自然科学基金项目(699010003);四川省教育厅资助科研项目(18ZA0502)
为了使复杂的纳米MOSFET毫米波噪声物理模型可用于工程设计,研究了其简洁模型的表达形式。通过器件的双端口相关噪声矩阵变换和分析,实现了复杂的噪声物理模型的简化。所提出的简洁模型不仅高精度地表征了器件的非准静态效应,并且可通过...
关键词：纳米MOSFET 毫米波 双端口网络 非准静态效应 
强反型区下纳米MOSFET的射频噪声机理分析
《强激光与粒子束》2019年第3期31-35,共5页曾洪波 彭小梅 王军 
国家自然科学基金项目(699010003);四川省教育厅资助科研项目(18ZA0502)
为了有效地表征纳米MOSFET强反型区下的射频噪声特性,研究了其噪声建模的方法。在分析45nm MOSFET射频小信号等效电路参数提取结果的基础上,建立了该器件漏极电流噪声的简洁模型。该模型完整地表征了决定45nm器件噪声机理的三个组成部分...
关键词：纳米MOSFET 受抑制散粒噪声 射频 噪声建模 强反型区 漏极电流噪声 
45 nm MOSFET毫米波小信号等效电路模型参数提取技术被引量：4
《强激光与粒子束》2019年第2期67-74,共8页李博 王军 
国家自然科学基金项目(699010003);四川省教育厅资助科研项目(18ZA0502)
为了有效地表征45nm MOSFET毫米波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的建模方法。基于45nm MOSFET的器件物理结构及其导纳参数分析,通过综合考虑器件的本征物理特性、管脚及测试寄生特性,提出了一种准静态近似的高频等效电路模型...
关键词：纳米MOSFET 小信号等效电路 参数提取 毫米波 双端口网络 散射参数 
金属栅功函数变异对纳米MOSFET模拟/射频性能影响的统计分析被引量：1
《计算机辅助设计与图形学学报》2018年第11期2159-2163,共5页薛佳帆 戴良 陈霖凯 吕伟锋 
国家自然科学基金(61571171;61331006;61302009;61771076);浙江省自然科学基金(LY18F04005)
当集成电路技术进入到纳米尺度,金属栅极上分布的晶粒显著减少,功函数变异(WFV)对MOSFET器件和电路性能产生重要的影响.文中通过偏差反向传播(POV)方法将功函数变异解析为平带电压标准差,建立22nm NMOS器件模拟/射频性能的统计分析,这...
关键词：纳米NMOS器件 功函数变异 模拟/射频性能 非正态统计分布 
毫米波频段下纳米MOSFET的导纳参数建模及应用
《工程科学与技术》2018年第4期186-192,共7页王军 王东振 
国家自然科学基金资助项目(699010003);四川省教育厅科研项目资助(18ZA0502)
为了统一表征毫米波频段下纳米MOSFET从强反型区到弱反型区的偏置依赖性,对高频MOSFET等效电路建模及其参数提取技术进行了研究,给出了一种简单、精确的小信号模型参数获取方法。基于45 nm MOSFET的器件物理结构,通过综合考虑该器件的...
关键词：纳米MOSFET 导纳参数 小信号等效电路 毫米波 
40纳米MOSFET毫米波等效电路的弱反区关键参数提取被引量：2
《四川大学学报（自然科学版）》2017年第3期523-528,共6页王林 王军 王丹丹 
国家自然科学基金(69901003)
以双端口网络的分析方法为依托,对40纳米MOSFET的毫米波小信号等效电路的弱反区参数进行提取.该等效电路基于准静态逼近,包括完整的本征准静态MOSFET模型、串联的栅极电阻、源极电阻、漏极电阻以及衬底耦合网络.元件参数提取分为寄生参...
关键词：二端口网络 40纳米MOSFET 弱反区 毫米波 参数提取 
纳米MOSFET器件电流噪声测试方法研究被引量：2
《电子元件与材料》2016年第12期45-48,共4页贾晓菲 陈文豪 丁兵 何亮 
国家自然科学基金重点项目(No.61076101);陕西省教育厅科学研究计划项目(No.16JK1016)
针对常规纳米尺度电子元器件的噪声特性,研究其噪声的基本测试条件,并建立测试系统。在屏蔽条件下采用低温装置和超低噪声前置放大器,能有效抑制外界干扰。应用该系统对实际纳米MOSFET器件进行噪声测试得到其电流噪声,在测试基础上通过...
关键词：纳米MOSFET 噪声测试 低温装置 电流噪声 散粒噪声 热噪声 
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