云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 张文鹏

张文鹏: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：西安电子科技大学更多>>; 发文主题：保护器件半导体浪涌保护器件NM金属氧化物半导体场效应晶体管更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《物理学报》更多>>

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10 nm金属氧化物半导体场效应晶体管中的热噪声特性分析: 《物理学报》2023年第22期270-276,共7页贾晓菲魏群张文鹏何亮武振华; 国家自然科学基金(批准号:11965005,11964026);陕西省自然科学基金(批准号:2023-JC-YB-021,2020JM-621);中央高校基本科研业务费专项资金资助的课题。; 随着金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件等比例缩小至纳米级的较小尺寸,一方面导致的短沟道效应已严重影响热噪声;另一方面使栅、源、漏区及衬底区的热噪声占有比越来越高,而传统热噪声模型主要考虑较大尺寸器件的沟道热噪声,且...; 关键词：热噪声纳米MOSFET 短沟道效应器件效率