氧化层陷阱

作品数：19被引量：37H指数：3
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高k介质SOI LDMOS RTS噪声测试新方法
《电子器件》2020年第1期234-238,共5页侯爱霞 
国家自然科学基金项目(51275541)。
提出了一种基于智能温控的RTS噪声测试与分析新方法。该方法利用高k栅介质SOI LDMOS边界陷阱特性,首先建立了含有俘获时间常数、发射时间常数以及噪声幅度等参数的RTS噪声模型;然后设计了RTS噪声智能温控测试系统;最后对实测RTS噪声数...
关键词：RTS噪声 SOI LDMOS 噪声模型 氧化层陷阱 自动温控 
65nm闪存芯片擦除时间退化的优化设计
《电子科技大学学报》2019年第4期492-497,共6页刘璟 谢元禄 霍长兴 呼红阳 张坤 毕津顺 刘明 
国家自然科学基金(61888102,61821091)
随着制造工艺进入65 nm节点,闪存的可靠性问题也越来越突出,其中闪存芯片擦除速度随着擦写循环的增加出现明显退化。该文从单个存储器件的擦写退化特性入手,详细讨论了隧穿氧化层缺陷的产生原因、对器件性能的影响及其导致整个芯片擦除...
关键词：擦除退化 闪存 氧化层陷阱 可靠性 阶梯脉冲电压 
GaAlAs红外发光二极管RTS噪声测试方法研究被引量：1
《电子器件》2016年第4期764-767,共4页杨建 吕瀚 陈志高 
中国地震局地震研究所基金项目(IS20136001)
提出了一种Ga Al As红外发光二极管自动温控RTS(Random Telegraph Signal)噪声测试新方法。通过分析Ga Al As IRLED的RTS噪声产生机理及特性,建立了Ga Al As IRLED的RTS噪声模型,设计了自动温控噪声测试系统。实验结果表明,该方法能准...
关键词：RTS噪声 红外发光二极管 噪声模型 氧化层陷阱 自动温控 
GaAlAs红外发光二极管低频噪声检测方法
《电子器件》2015年第6期1249-1252,共4页熊建国 赵华 黄贻培 杨代强 陈志高 
中国地震局地震研究所基金项目(IS20136001);重庆市高等教育教学改革研究重点项目(132018)
通过分析Ga Al As红外发光二极管(IRED)的低频噪声产生机理及特性,建立了Ga Al As IRED的噪声模型,设计了一套低频噪声测试系统,通过该系统测量得到了Ga Al As IRED的低频噪声。实验表明,该方法能准确的测量Ga Al As IRED的低频噪声,发...
关键词：低频噪声 红外发光二极管 噪声模型 氧化层陷阱 
SOI NLIGBT热载流子效应研究
《固体电子学研究与进展》2012年第4期309-313,317,共6页张炜 张世峰 韩雁 吴焕挺 
SOI NLIGBT中热载流子效应分别通过直流电压的应力测试、TCAD仿真和电荷泵测试三种方法进行了研究。其中,不同直流电压应力条件下测得的衬底电流Isub和导通电阻Ron用来评估因热载流子效应引起的器件退化程度。为了进行理论分析,对器件...
关键词：绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管 热载流子效应 碰撞离化率 电荷泵 界面态 氧化层陷阱空穴 
金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究
《物理学报》2012年第10期442-446,共5页孙鹏 杜磊 陈文豪 何亮 张晓芳 
国家自然科学基金(批准号:61106062)资助的课题~~
基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐射应力引起的氧化层陷阱电荷、界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量之间定量关系的模型.根据模型...
关键词：界面陷阱 氧化层陷阱 金属-氧化物-半导体场效应管 辐射 
基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管潜在缺陷退化模型被引量：1
《物理学报》2012年第6期446-452,共7页孙鹏 杜磊 陈文豪 何亮 
国家自然科学基金(批准号:60276028)资助的课题~~
基于金属-氧化物-半导体-场效应管(MOSFET)辐射损伤的微观机理,推导出了MOSFET经历辐照之后氧化层空穴俘获与阈值电压漂移之间关系的表达式.又根据MOSFET中1/f噪声产生的微观机理,建立了辐照之前MOSFET的1/f噪声功率谱幅值与阈值电压漂...
关键词：1/f噪声 潜在缺陷 界面陷阱 氧化层陷阱 
MOS器件栅介质层陷阱的表征方法
《微电子学》2011年第5期714-721,共8页许中广 霍宗亮 张满红 王琴 刘璟 朱晨昕 郑志威 王晨杰 刘明 
国家重点基础研究发展(973)计划基金资助项目(2010CB934200);国家自然科学基金资助项目(60825403)
随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠性的研究一直是学术界和工业界研究的重点。普遍认为,栅介质中的陷阱是引起栅介质退化乃至击穿的主要因素...
关键词：MOS器件 栅介质 可靠性 缺陷表征 界面陷阱 氧化层陷阱 
n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究
《物理学报》2009年第10期7183-7188,共6页李伟华 庄奕琪 杜磊 包军林 
国家自然科学基金(批准号:60676053)资助的课题~~
基于n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)噪声的数涨落模型,采用高阶统计量双相干系数平方和研究了nMOSFET噪声的非高斯性.通过对nMOSFET实际测试噪声的分析,发现nMOSFET器件噪声存在非高斯性;小尺寸器件噪声的非高斯性强于大尺...
关键词：噪声 非高斯性 n型金属氧化物半导体场效应晶体管 氧化层陷阱 
MOS结构电离辐射效应模型研究被引量：15
《物理学报》2009年第6期4090-4095,共6页陈伟华 杜磊 庄奕琪 包军林 何亮 张天福 张雪 
国家自然科学基金(批准号:60276028)资助的课题~~
基于氧化层空穴俘获和质子诱导界面陷阱电荷形成物理机制的分析,分别建立了MOS结构电离辐射诱导氧化层陷阱电荷密度、界面陷阱电荷密度与辐射剂量相关性的物理模型.由模型可以得到,在低剂量辐照条件下辐射诱导产生的两种陷阱电荷密度与...
关键词：MOS结构 辐射 界面陷阱 氧化层陷阱 
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