张满红

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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：存储器俘获浮栅纳米晶阻挡层更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微电子学》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
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一种大规模闪存灵敏放大器的多相位预充方法
《微电子学》2012年第5期632-636,共5页张君宇 张满红 霍宗亮 刘璟 刘阿鑫 刘明 
国家重点基础研究发展(973)计划基金资助项目(2011CBA00600);国家自然科学基金资助项目(60825403;61176080;61176073)
随着微电子技术节点不断向前推进,非挥发性存储器(NVM)的容量迅速增大,对读取速度的要求也日益提高。通常,在大规模快闪存储器中采用页读取模式将多个比特的数据同时读取到缓存中,再从缓存中依次输出数据。这样等效于缩短读取周期,但也...
关键词：灵敏放大器 非挥发性存储器 页读取 流水线 
电荷俘获存储器阻挡层研究进展
《微纳电子技术》2012年第6期360-368,共9页白杰 霍宗亮 刘璟 刘紫玉 张满红 杨建红 刘明 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CBA00600;2010CB934200);国家自然科学基金资助项目(60825403;61176080;61176073);国家重大科技专项(2009ZX02023005)
随着非挥发性存储器(NVM)存储单元的特征尺寸进入20 nm节点,使用单层SiO2作为阻挡层的传统电荷俘获存储器结构性能上逐渐受到限制。基于阻挡层在存储器栅堆栈中的作用与基本要求,首先,指出单层SiO2作为阻挡层存在的主要问题,然后对高介...
关键词：电荷俘获存储器(CTM) 阻挡层 高K材料 隧穿 AL2O3 
MOS器件栅介质层陷阱的表征方法
《微电子学》2011年第5期714-721,共8页许中广 霍宗亮 张满红 王琴 刘璟 朱晨昕 郑志威 王晨杰 刘明 
国家重点基础研究发展(973)计划基金资助项目(2010CB934200);国家自然科学基金资助项目(60825403)
随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠性的研究一直是学术界和工业界研究的重点。普遍认为,栅介质中的陷阱是引起栅介质退化乃至击穿的主要因素...
关键词：MOS器件 栅介质 可靠性 缺陷表征 界面陷阱 氧化层陷阱 
基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性
《半导体技术》2011年第6期421-424,共4页杨潇楠 王永 张满红 张博 刘明 
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(2010CB934200);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA031403)
硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。...
关键词：硅纳米晶 非挥发存储器 存储特性 耐受性 数据保持 
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