王晨杰

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发文主题：存储器俘获高介电常数阻挡层存储电荷更多>>
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MOS器件栅介质层陷阱的表征方法
《微电子学》2011年第5期714-721,共8页许中广 霍宗亮 张满红 王琴 刘璟 朱晨昕 郑志威 王晨杰 刘明 
国家重点基础研究发展(973)计划基金资助项目(2010CB934200);国家自然科学基金资助项目(60825403)
随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠性的研究一直是学术界和工业界研究的重点。普遍认为,栅介质中的陷阱是引起栅介质退化乃至击穿的主要因素...
关键词：MOS器件 栅介质 可靠性 缺陷表征 界面陷阱 氧化层陷阱 
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