基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性  

Fabrication and Storage Characteristics of Si-Nanocrystal Nonvolatile Memories

作　　者：杨潇楠[1,2] 王永[1,2] 张满红[1] 张博 刘明[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,北京100029 [2]上海宏力半导体制造有限公司,上海201203

出　　处：《半导体技术》2011年第6期421-424,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(2010CB934200);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA031403)

摘　　要：硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。Si nanocrystal nonvolatile memories（NVM） have received considerable research interests due to their excellent performances and high compatibility with conventional process.The growth of Si-NCs followed a two-step low pressure chemical vapor deposition（LPCVD） process,which has the advantages of high density and controllability,most important,and it is totally compatible with CMOS process.Based on this,a four terminals nonvolatile memory was fabricated.This device exhibits excellent memory characteristics,including a fast program/erase speed under 10 V operation voltage,and a great improvement of data retention along with good endurance of lower than 10% threshold voltage（Vt） shift after 105 program/erase cycles.The device has a strong potential for future high-performance nonvolatile memory application.

关 键 词：硅纳米晶 非挥发存储器 存储特性 耐受性 数据保持 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学] TP333.5[自动化与计算机技术—计算机系统结构]