高K材料

作品数：29被引量：44H指数：4
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MOS器件Hf基高k栅介质的研究综述
《辽宁大学学报（自然科学版）》2024年第1期24-32,共9页吕品 白永臣 邱巍 
随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面...
关键词：Hf基高k材料 栅介质 MOS器件 介电常数 
高k材料镧前驱体La(tmhd)_(3)和La(tmod)_(3)的热力学及其ALD应用
《微纳电子技术》2023年第7期1047-1057,共11页周洪 丁玉强 
通过同步热分析研究两种不同的前驱体(La(tmhd)_(3)和La(tmod)_(3))在升华过程中的热稳定性。结果表明,具有不对称分子结构的La(tmod)_(3)的挥发性大于La(tmhd)_(3),其可以作为镧前驱体应用于原子层沉积(ALD)技术。将La(tmod)_(3)和O_(3...
关键词：LAOX La(tmhd)_(3) 原子层沉积(ALD) La(tmod)_(3) 热分析 O_(3) 
退火参数对磁控溅射Al_(2)O_(3)介质电学性能的影响
《热加工工艺》2023年第4期125-128,138,共5页苏佳乐 李冲 秦世宏 何晓颖 
国家自然科学基金项目(61675046);中央高校基本科研专项资金项目(2019PTB-006);信息光子学与光通信国家重点实验室项目(IPOC2017B011)。
氧化铝作为一种可以应用于高密度MIM电容器的高k材料,具有很大的禁带宽度和良好的热稳定性,可以有效减小漏电流。采用磁控溅射法制备了氧化铝薄膜,并对不同气氛和温度下退火的氧化铝薄膜进行了漏电和电容测试,分析和研究了影响磁控溅射...
关键词：退火 磁控溅射 氧化铝 高K材料 电学性能 
多层PCB介质基板中嵌入高K材料对信号完整性的影响被引量：1
《安全与电磁兼容》2019年第4期53-56,共4页胡玉生 
国家自然科学基金（61871200）;福建省对外合作项目（2017I0011）
采用数值仿真分析了多层PCB的电源/地平面中嵌入高K材料对过孔转换信号完整性的影响。研究了电源/地平面间的介质层整体采用高介电常数(高K)材料时信号过孔的S参数,并提出了两种局部添加高K材料的方法,一是在过孔周围布置一个包围过孔...
关键词：信号完整性 过孔转换 嵌入式电容 高K 材料 电源/地平面 多层PCB 
原位XPS分析Al_2O_3作为势垒层的Er_2O_3/Si结构被引量：2
《半导体技术》2017年第5期394-399,共6页高宝龙 买买提热夏提.买买提 亚森江.吾甫尔 阿布都艾则孜.阿布来提 
国家自然科学基金资助项目(61366001;61464010;61604126)
在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er_2O_3/Al_2O_3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Al_2O_3作为势垒层的Er_2O_3与Si界面的电子结构。XPS结果表明,Al_2O_3中Al的2p芯能级峰在低、高温退火前...
关键词：脉冲激光沉积(PLD)技术 Er2O3薄膜 AL2O3薄膜 X射线光电子能谱(XPS) 高K材料 
Si基Er_2O_3薄膜初始生长的原位RHEED和AES研究
《微纳电子技术》2015年第2期98-102,共5页苑军军 仇庆林 朱燕艳 
国家自然科学基金资助项目(11305100);上海市自然科学基金资助项目(15ZR1418700)
采用分子束外延(MBE)法在Si(001)衬底上生长Er2O3高k薄膜材料。X射线衍射结果表明,用这一方法得到的硅基Er2O3薄膜是(440)取向的单晶,电学测试预示在Si和Er2O3薄膜的界面有一层很薄的界面层。为了研究Si/Er2O3异质结的界面,通过原位反...
关键词：Er2O3 高K材料 界面演变 反射式高能电子衍射(RHEED) 俄歇能谱(AES) 
原子层沉积技术的发展现状及应用前景被引量：14
《真空科学与技术学报》2014年第4期413-420,共8页魏呵呵 何刚 邓彬 李文东 李太申 
随着微电子行业的发展,集成度不断提高、器件尺寸持续减小,使得许多传统微电子材料和科技面临巨大挑战,然而原子层沉积(ALD)技术作为一种优异的镀膜技术,因其沉淀的薄膜纯度高、均匀性及保行性好,还能十分精确地控制薄膜的厚度与成分,...
关键词：原子层沉积技术 薄膜沉积 高K材料 光学薄膜 催化剂 
超短沟道高k栅MOSFET寄生电容
《中国科学技术大学学报》2013年第10期822-829,共8页王敏 王保童 柯导明 
国家自然科学基金(61076086);高等学校博士学科点专项科研基金(2103401110008)资助
寄生电容不随器件尺寸的减小而成比例减小,因此对小尺寸器件寄生电容的研究就更有意义.本文首次用矩形等效源建立了MOSFET电势分布二维半解析模型,综合半解析法和特征函数展开法求出二维电势分布函数,并由此得出寄生电容的解析表达式....
关键词：超短沟道 寄生电容 高K材料 半解析模型 
考虑量子效应的高k栅介质SOI MOSFET特性研究被引量：3
《物理学报》2012年第24期470-475,共6页曹磊 刘红侠 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~
本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性.通过数值方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,得到了垂直于SiO2/Si界面方向上载流子波函数及能级的分布情况,结合Young模型,在考虑短沟道效应和高k栅介质的情况下,对SOIMOSFET的...
关键词：量子化效应 高K材料 SOI MOSFET 阈值电压 
高k介质在新型半导体器件中的应用被引量：4
《物理学报》2012年第13期473-480,共8页黄力 黄安平 郑晓虎 肖志松 王玫 
国家自然科学基金(批准号:51172009;51172013和11074020);教育部新世纪优秀人才计划(NCET-08-0029)资助的课题~~
当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO_2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO_2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、...
关键词：高K材料 FINFET 石墨烯器件 忆阻器 
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