量子化效应

作品数：17被引量：32H指数：3
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快速退火对磁控溅射制备Bi/Te多层膜热电性能的影响
《硅酸盐学报》2018年第7期964-971,共8页张建新 马楷 杨庆新 李海林 韩变华 薛亮 
国家自然科学基金项目(51577132,61605145);天津市自然科学基金项目(15JCQNJC41800);天津市教委科研计划项目(自然科学)(2017ZD06)
采用磁控溅射法在玻璃衬底上室温沉积Bi/Te多层膜,并在常压氮气保护下进行快速退火处理。研究退火温度和时间对薄膜的显微结构、物相组成和热电性能的影响。结果表明：随退火时间的延长样品中依次出现片状晶粒的成核、定向生长和横向堆...
关键词：Bi/Te多层膜 热电薄膜 快速退火 热电性能 量子化效应 
浅谈宏观量子化效应
《黑龙江科技信息》2016年第13期132-133,共2页曹旭 王杰 
文章总结介绍了不同领域的宏观量子效应,例如超导中的磁通量子化、约瑟夫逊效应、玻色-爱因斯坦凝聚及量子霍尔效应、磁宏观量子效应等,并简要总结阐述了宏观量子效应研究的意义。
关键词：宏观量子效应 量子化 玻色一爱因斯坦凝聚 
考虑量子效应的高k栅介质SOI MOSFET特性研究被引量：3
《物理学报》2012年第24期470-475,共6页曹磊 刘红侠 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~
本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性.通过数值方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,得到了垂直于SiO2/Si界面方向上载流子波函数及能级的分布情况,结合Young模型,在考虑短沟道效应和高k栅介质的情况下,对SOIMOSFET的...
关键词：量子化效应 高K材料 SOI MOSFET 阈值电压 
关于一类Ginzburg-Landau型泛函的量子化效应的某些结果
《数学进展》2012年第5期635-639,共5页马丽 
本文研究了一类Ginzburg-Landau型泛函径向极小元的性质.利用Pohozaev等式,介绍了一种高维能量泛函F_ε(u)=1/n∫Ω|▽u|n+1/4ε~n∫Ω|u|~2(1-|u|~2)~2的量子化效应,其中Ω(?)R^n,u:Ω→R^n,n≥3.
关键词：渐近性质 GINZBURG-LANDAU方程 量子化效应 
物理学中的全量子化效应与新的探索
《物理》2011年第5期321-325,共5页陈基 孙兆茹 张千帆 王恩哥 
国家自然科学基金(批准号:10974238;91021007)资助项目
在一般的第一性原理计算中,原子核总是被近似成经典粒子.然而,在一些特殊的体系中,原子核的量子效应对体系的物理性质和物理过程有着至关重要的影响.在相关问题的模拟中,考虑了原子核量子效应的全量子化计算,展示了其独有的准确性.目前...
关键词：全量子化 路径积分分子动力学 第一性原理计算 
含双负介质一维光子晶体量子阱的透射谱研究被引量：19
《量子电子学报》2010年第5期596-601,共6页苏安 高英俊 
国家自然科学基金(50661001;50061001);广西科学基金(0832029;0991026)资助项目
用传输矩阵法研究一维光子晶体(AB)_m(BACAB)_n(BA)_m的透射谱,研究发现:在双正介质和含双负介质情况下,归一化频率1.0ω_0/ω处光子晶体(BACAB)_n的能带皆处于光子晶体(AB)_m(BA)_m的禁带中,均构成以ω/ω_0处为对称中心的光量子阱结...
关键词：量子光学 量子化效应 传输矩阵法 量子阱 双负介质 透射谱 
面向21世纪的纳米电子学被引量：1
《微纳电子技术》2006年第1期1-7,共7页彭英才 赵新为 傅广生 
评论了纳米电子学的沿革路程,介绍了纳米电子学的研究内容,并预测了它的发展趋势。进而指出,纳米电子学的崛起与发展将会对21世纪的量子计算机、量子通信以及量子信息处理等产生革命性的影响。
关键词：纳米电子学 发展路径 量子化效应 纳米加工技术 纳米量子器件 
F—H曲线影响因素的研究
《贵州师范大学学报（自然科学版）》2005年第2期45-47,共3页周勋 姜俊 
贵州省科学技术基金资助(20013078)
夫兰克—赫兹实验是物理学史上具有重要地位的物理实验之一。由于夫兰克—赫兹管受温度、拒斥电压、灯丝电压等因素的影响,使实验过程中F—H曲线形状将发生变化,以至于不能有效地显示原子内部能量量子化效应的若干信息。本文深入探讨了F...
关键词：灯丝电压 量子化效应 物理实验 物理学史 发生变化 曲线形状 实验过程 实验曲线 赫兹 温度 原子 
UTB结构量子化效应解析模型被引量：1
《北京大学学报（自然科学版）》2004年第3期412-416,共5页王雅科 刘晓彦 韩汝琦 
国家自然科学基金 (90 2 0 70 0 4);863计划 (2 0 0 2AA1Z1510 )资助项目
通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程 ,应用费米统计建立了UTBMOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型。并利用自恰求解薛定谔方程和泊松方程的结果对模型进行了验证 。
关键词：UTB结构 量子化效应 反型层电荷 
一种新的MOS结构量子化效应修正模型被引量：2
《固体电子学研究与进展》2000年第3期237-243,共7页马玉涛 刘理天 李志坚 
从载流子在 MOS结构反型层内的经典分布和量子化后的子带结构出发 ,提出了经典的和量子化的表面有效态密度 (SL EDOS:Surface layer effective density- of- states)的概念。利用表面有效态密度的概念建立了经典理论框架和量子力学框架...
关键词：电荷分布模型 反型层电荷 量子化效应 MOS 
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