反型层电荷

作品数:5被引量:3H指数:1
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施主能级分裂对SiC基p-MOSFET反型层电荷的影响
《固体电子学研究与进展》2009年第2期187-191,共5页戴振清 郝爱民 杨瑞霞 
通过引进基态施主能级分裂因素,对SiC基p-MOSFET的反型层电荷模型进行了改进。经计算发现,在考虑到能级分裂后反型层电荷面密度降低,并且能级分裂的影响随栅电压绝对值的增加而减弱。在阈值电压处,能级分裂对反型层电荷的影响随掺杂浓...
关键词:基态施主能级分裂 碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 反型层电荷 
光电子技术与器件 光能转换与器件
《中国光学与应用光学》2007年第4期70-71,共2页
关键词:器件 CdTe 太阳电池 异质结太阳能电池 光能转换 背电极 全玻璃真空太阳集热管 真空集热管 光电子技术 最佳倾角 反型层电荷 CdSe 太阳集热器 自寻优算法 
工作状态对MIS/IL太阳电池反型层电荷的影响
《太阳能学报》2007年第1期28-31,共4页丁扣宝 
在一定输出电流及光照条件下,数值求解半导体器件基本方程,获得输出电压和反型层电荷面密度等参数。结果表明,反型层电荷与工作状态有关,即:当输出电压为某一最佳值时,反型层电荷面密度达到最大,相应的薄层电阻最小,因而合理设定太阳电...
关键词:硅太阳电池 输出电压 反型层电荷 
UTB结构量子化效应解析模型被引量:1
《北京大学学报(自然科学版)》2004年第3期412-416,共5页王雅科 刘晓彦 韩汝琦 
国家自然科学基金 (90 2 0 70 0 4);863计划 (2 0 0 2AA1Z1510 )资助项目
通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程 ,应用费米统计建立了UTBMOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型。并利用自恰求解薛定谔方程和泊松方程的结果对模型进行了验证 。
关键词:UTB结构 量子化效应 反型层电荷 
一种新的MOS结构量子化效应修正模型被引量:2
《固体电子学研究与进展》2000年第3期237-243,共7页马玉涛 刘理天 李志坚 
从载流子在 MOS结构反型层内的经典分布和量子化后的子带结构出发 ,提出了经典的和量子化的表面有效态密度 (SL EDOS:Surface layer effective density- of- states)的概念。利用表面有效态密度的概念建立了经典理论框架和量子力学框架...
关键词:电荷分布模型 反型层电荷 量子化效应 MOS 
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