曹磊

作品数：7被引量：14H指数：3
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：隐私SOI_MOSFET高K栅介质势垒SOI更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术医药卫生更多>>
发文期刊：《现代电子技术》《物理学报》《电子与信息学报》《中国科学：物理学、力学、天文学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金高等学校科技创新工程重大项目国家教育部博士点基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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太阳能热水系统中两种集热器集热面积的优化分配被引量：2
《现代电子技术》2021年第4期156-159,共4页张凌飞 陈欢 刘晨 何逸麟 曹磊 
青海省科技厅重点研发与转换项目(2018⁃NN⁃151);教育部“春晖计划”项目(Z2016108)。
针对单一类型太阳能集热系统存在的效率低和造价成本高等问题,采用两种太阳能集热器相组合的集热方式,建立针对组合式太阳能集热器集热面积优化的多目标优化模型,并为此提出一种快速有效的多目标优化方法,用于该组合集热系统中不同类型...
关键词：太阳能热水系统 太阳能集热器 集热面积 优化分配 多目标优化 系统测试 
考虑量子效应的高k栅介质SOI MOSFET特性研究被引量：3
《物理学报》2012年第24期470-475,共6页曹磊 刘红侠 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题~~
本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性.通过数值方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,得到了垂直于SiO2/Si界面方向上载流子波函数及能级的分布情况,结合Young模型,在考虑短沟道效应和高k栅介质的情况下,对SOIMOSFET的...
关键词：量子化效应 高K材料 SOI MOSFET 阈值电压 
新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究被引量：3
《物理学报》2012年第17期470-475,共6页曹磊 刘红侠 
国家自然科学基金(批准号:60976068;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号:708083);教育部博士点基金(批准号:200807010010)资助的课题~~
本文提出了一个新型的SOI埋层结构SOANN(silicon on aluminum nitride with nothing),用AIN代替传统的SiO2材料,并在SOI埋氧化层中引入空洞散热通道.分析了新结构SOI器件的自加热效应.研究结果表明:用AIN做为SOI埋氧化层的材料,降低了...
关键词：自加热效应 漏致势垒降低 ALN 空洞 
异质栅全耗尽应变硅金属氧化物半导体模型化研究被引量：3
《物理学报》2012年第1期416-421,共6页曹磊 刘红侠 王冠宇 
国家自然科学基金(批准号:60976068;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:708083)资助的课题~~
为了进一步提高小尺寸金属氧化物半导体(MOSFET)的性能,在应变硅器件的基础上,提出了一种新型的异质栅MOSFEET器件结构.通过求解二维Poisson方程,结合应变硅技术的物理原理,建立了表面势、表面电场以及阈值电压的物理模型,研究了栅金属...
关键词：应变硅 异质栅 阈值电压 解析模型 
GaN基p-i-n型紫外探测器光生载流子屏蔽效应模型
《中国科学：物理学、力学、天文学》2010年第8期966-974,共9页高博 刘红侠 匡潜玮 周文 曹磊 
国家自然科学基金(批准号:60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金(编号:708083)、教育部新世纪优秀人才计划(编号:NCET-05-0851)、教育部博士点基金(编号:200807010010)资助项目
通过求解光生载流子连续性方程,得出GaN基p-i-n型紫外探测器耗尽层中的光生载流子密度分布.根据泊松方程计算了光生载流子屏蔽电场,并通过数值计算方法将光生载流子屏蔽电场引入器件模型,建立了光生载流子屏蔽效应模型.在此基础上,讨论...
关键词：GAN P-I-N 紫外探测器 光生载流子屏蔽效应 
高k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型被引量：2
《物理学报》2010年第11期8131-8136,共6页李劲 刘红侠 李斌 曹磊 袁博 
国家自然科学基金(批准号:60976068;60936055);教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:708083);教育部博士点基金(批准号:200807010010)资助的课题~~
在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOIMOSFET结构.通过求解二维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型,在该模型中考虑了影响阈值电压的主要参数.分析了阈值电压与弛豫层中的G...
关键词：应变SI 高k栅 短沟道效应 漏致势垒降低 
IC中多余物缺陷对信号串扰的定量研究被引量：1
《电子与信息学报》2010年第1期210-213,共4页周文 刘红侠 匡潜玮 高博 曹磊 
国家自然科学基金(60206006);教育部科技创新工程重大项目培育资金(708083);教育部新世纪优秀人才计划(NCET-05-0851);西安应用材料创新基金(XA-AM-200701)资助课题
该文研究了铜互连线中的多余物缺陷对两根相邻的互连线间信号的串扰,提出了互连线之间的多余物缺陷和互连线之间的互容、互感模型,用于定量的计算缺陷对串扰的影响。提出了把缺陷部分单独看作一段RLC电路模型,通过提出的模型研究了不同...
关键词：集成电路 多余物缺陷 信号串扰 铜互连 可靠性 
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