匡潜玮

作品数：6被引量：8H指数：2
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：ALD高K栅介质原子层淀积HFO材料特性更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《西安电子科技大学学报》《湖南大学学报（自然科学版）》《电子与信息学报》《中国科学：信息科学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金高等学校科技创新工程重大项目西安应用材料创新基金国防科技技术预先研究基金更多>>
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ALD淀积温度对HfO_2高k栅介质材料特性的影响被引量：3
《西安电子科技大学学报》2012年第2期164-167,共4页匡潜玮 刘红侠 樊继斌 马飞 张言雷 
国家自然科学基金资助项目(60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);教育部博士点基金资助项目(200807010010)
采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分...
关键词：高K栅介质 二氧化铪 原子层淀积 生长温度 氧化层缺陷 
GaN基p-i-n型紫外探测器光生载流子屏蔽效应模型
《中国科学：物理学、力学、天文学》2010年第8期966-974,共9页高博 刘红侠 匡潜玮 周文 曹磊 
国家自然科学基金(批准号:60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金(编号:708083)、教育部新世纪优秀人才计划(编号:NCET-05-0851)、教育部博士点基金(编号:200807010010)资助项目
通过求解光生载流子连续性方程,得出GaN基p-i-n型紫外探测器耗尽层中的光生载流子密度分布.根据泊松方程计算了光生载流子屏蔽电场,并通过数值计算方法将光生载流子屏蔽电场引入器件模型,建立了光生载流子屏蔽效应模型.在此基础上,讨论...
关键词：GAN P-I-N 紫外探测器 光生载流子屏蔽效应 
新型HfO_2栅介质中的频散效应及参数提取方法
《中国科学：信息科学》2010年第6期892-898,共7页刘红侠 匡潜玮 栾苏珍 ZHAO Aaron TALLAVARJULA Sai 
国家自然科学基金(批准号:60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);教育部博士点基金(批准号:200807010010);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200701)资助项目
本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测量超薄HfO2/SiO2堆栈栅MOS电容中制备工艺和测量设备引入的寄...
关键词：高K栅介质 二氧化铪 频率色散 等效电路模型 双频C-V法 参数提取 
IC中多余物缺陷对信号串扰的定量研究被引量：1
《电子与信息学报》2010年第1期210-213,共4页周文 刘红侠 匡潜玮 高博 曹磊 
国家自然科学基金(60206006);教育部科技创新工程重大项目培育资金(708083);教育部新世纪优秀人才计划(NCET-05-0851);西安应用材料创新基金(XA-AM-200701)资助课题
该文研究了铜互连线中的多余物缺陷对两根相邻的互连线间信号的串扰,提出了互连线之间的多余物缺陷和互连线之间的互容、互感模型,用于定量的计算缺陷对串扰的影响。提出了把缺陷部分单独看作一段RLC电路模型,通过提出的模型研究了不同...
关键词：集成电路 多余物缺陷 信号串扰 铜互连 可靠性 
用于流水线ADC的预运放-锁存比较器的分析与设计被引量：2
《湖南大学学报（自然科学版）》2008年第11期49-53,共5页吴笑峰 刘红侠 石立春 周清军 胡仕刚 匡潜玮 
国家自然科学基金资助项目(60206006);国防预研基金资助项目(51308040103);西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200701)
提出了一种应用于开关电容流水线模数转换器的CMOS预运放-锁存比较器.该比较器采用UMC混合/射频0.18μm 1P6M P衬底双阱CMOS工艺设计,工作电压为1.8 V.该比较器的灵敏度为0.215 mV,最大失调电压为12 mV,差分输入动态范围为1.8 V,分辨率...
关键词：预运放-锁存比较器 流水线ADC 踢回噪声 分析与设计 
An Analytical Model of Drain Current for Ultra-Thin Body and Double-Gate Schottky Source/Drain MOSFETs Accounting for Quantum Effects被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第5期869-874,共6页栾苏珍 刘红侠 贾仁需 蔡乃琼 王瑾 匡潜玮 
国家自然科学基金(批准号:60206006);国防预研究基金(批准号:51308040103)资助项目~~
A compact drain current including the variation of barrier heights and carrier quantization in ultrathin-body and double-gate Schottky barrier MOSFETs （UTBDG SBFETs） is developed. In this model, Schrodinger＇s equat...
关键词：Schottky barrier quantum effects the effective mass electron density 
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