云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 栾苏珍

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新型HfO_2栅介质中的频散效应及参数提取方法: 《中国科学：信息科学》2010年第6期892-898,共7页刘红侠匡潜玮栾苏珍 ZHAO Aaron TALLAVARJULA Sai; 国家自然科学基金(批准号:60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083);教育部博士点基金(批准号:200807010010);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200701)资助项目; 本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测量超薄HfO2/SiO2堆栈栅MOS电容中制备工艺和测量设备引入的寄...; 关键词：高K栅介质二氧化铪频率色散等效电路模型双频C-V法参数提取

Al掺杂4H-SiC同质外延的缓冲层被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2009年第2期306-309,共4页贾仁需张义门张玉明王悦湖栾苏珍; 国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:51327020202)资助的课题;教育部科学技术研究重点项目(编号:106150); 利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)对在4H-SiC单晶衬底上采用CVD同质外延的4H-SiC单晶薄膜的特性进行研究,发现外延层有很好的晶格结构和完整性。由于Al原位掺杂引起的晶格失配和衬底和外延的晶向偏离,在...; 关键词：4H碳化硅同质外延缓冲层扫描电子显微镜 X射线双晶衍射谱光致发光谱

An Analytical Model of Drain Current for Ultra-Thin Body and Double-Gate Schottky Source/Drain MOSFETs Accounting for Quantum Effects被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2008年第5期869-874,共6页栾苏珍刘红侠贾仁需蔡乃琼王瑾匡潜玮; 国家自然科学基金(批准号:60206006);国防预研究基金(批准号:51308040103)资助项目~~; A compact drain current including the variation of barrier heights and carrier quantization in ultrathin-body and double-gate Schottky barrier MOSFETs （UTBDG SBFETs） is developed. In this model, Schrodinger＇s equat...; 关键词：Schottky barrier quantum effects the effective mass electron density

高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响被引量：1: 《物理学报》2008年第7期4476-4481,共6页栾苏珍刘红侠贾仁需蔡乃琼王瑾; 国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0851)资助的课题~~; 研究了高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响.随着栅介质介电常数增大,肖特基源漏(SBSD)SOI MOSFET的开态电流减小,这表明边缘感应势垒降低效应(FIBL)并不是对势垒产生影响的主要机理.源端附近边缘感应势垒屏蔽效应(FIBS)是...; 关键词：高K栅介质肖特基源漏(SBSD) 边缘感应势垒屏蔽(FIBS) 绝缘衬底上的硅(SOI)

4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系被引量：5: 《物理学报》2008年第7期4456-4458,共3页贾仁需张义门张玉明郭辉栾苏珍; 国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:51327020202);西安-应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200704)资助的课题~~; 利用室温光致发光谱(PL)对CVD法生长的4H-SiC同质外延特性进行研究,发现有绿带发光(GL)特性.用扫描电子显微镜(SEM)、二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子谱(XPS)技术获得了4H-SiC样品纵截面形貌和元素相对含量分布.结果表明,GL与4H-SiC晶...; 关键词：绿带发光 4H-SiC同质外延晶体缺陷

异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2008年第4期746-750,共5页栾苏珍刘红侠贾仁需王瑾; 国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部新世纪优秀人才计划(批准号:681231366);国防预研基金(批准号:51308040103);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200701);教育部重点科技研究(批准号:104172)资助项目~~; 在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移-扩散理论,在表面势模型的基础上,推导出新结构器件的亚阈值电流模型.为了求...; 关键词：异质栅 SOI MOSFET 亚阈值电流二维解析模型

高k介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型被引量：7: 《物理学报》2008年第6期3807-3812,共6页栾苏珍刘红侠贾仁需蔡乃琼; 国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0851);国防预研究基金(批准号:51308040103)资助的课题~~; 为了研究高介电常数(高k)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模型中考虑了各种主要因素的影响,包括不同介电常数材料的影响,...; 关键词：异质栅绝缘衬底上的硅阈值电压解析模型

动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价被引量：4: 《物理学报》2008年第4期2524-2528,共5页栾苏珍刘红侠贾仁需; 国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0851);国防预研基金(批准号:51308040103)资助的课题~~; 实验发现动态电压应力条件下,由于栅氧化层很薄,高电平应力时间内隧穿入氧化层的电子与陷落在氧化层中的空穴复合产生中性电子陷阱,中性电子陷阱辅助电子隧穿.由于每个周期的高电平时间较短(远远低于电荷的复合时间),隧穿到氧化层的电...; 关键词：超薄栅氧化层斜坡电压经时击穿

纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型: 《微电子学》2007年第6期838-841,共4页王瑾刘红侠栾苏珍; 国家自然科学基金资助项目(60206006);国家教育部新世纪优秀人才项目资助(681231366);国防预研项目资助(51308040103);国家教育部重点项目资助(104172); 针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值电压增大,推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修...; 关键词：SOI MOSFET 量子效应阈值电压反型层

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