纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型  

A Modified Threshold-Voltage Model for Nanometer Fully Depleted SOI MOSFETs

作　　者：王瑾[1] 刘红侠[1] 栾苏珍[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《微电子学》2007年第6期838-841,共4页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60206006);国家教育部新世纪优秀人才项目资助(681231366);国防预研项目资助(51308040103);国家教育部重点项目资助(104172)

摘　　要：针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值电压增大,推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修正模型。With quantization effects of inversion layer electrons in the channel of thin layer fully depleted SOI MOSFETs taken into account, quantization effects on threshold-voltage was analyzed. Results indicated that quantization effects of inversion layer cause threshold-voltage to increase. Finally, a modified threshold-voltage model for nanometer fully depleted SOI MOSFETs was concluded.

关 键 词：SOI MOSFET 量子效应 阈值电压 反型层 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]