二维解析模型

作品数：15被引量：49H指数：3
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双层Halbach永磁电机解析建模与优化被引量：27
《电机与控制学报》2020年第1期53-60,68,共9页倪有源 何强 王群京 
国家自然科学基金(51637001);安徽省自然科学基金(1508085ME89)
提出双层Halbach永磁电机的二维解析模型,模型中转子永磁包括内外两层,每层每极均由两块永磁构成,且每层中间磁块均为径向磁化。通过分区域求解标量磁位的微分方程,解析得到双层Halbach无槽电机的气隙磁场。利用卡特系数考虑齿槽作用,...
关键词：双层Halbach电机 标量磁位 二维解析模型 最优极弧比 气隙磁场优化 正弦度 
对称双栅高斯掺杂应变Si金属氧化物半导体场效应管的二维解析模型被引量：1
《中南大学学报（自然科学版）》2016年第4期1203-1208,共6页李劲 吴笑峰 席在芳 胡仕刚 李目 
国家自然科学基金资助项目(61474042;61404049;61376076);湖南省科技计划项目(2013FJ2011;2014FJ2017);湖南省教育厅资助项目(14B060;13C321)~~
基于扩散、阈值调整和离子注入等工艺过程导致器件的沟道区的掺杂分布不均匀,提出对称双栅高斯掺杂应变硅MOSFET器件,并对其相关特性进行研究。通过对沟道二维泊松方程求解建立该器件结构的表面势和阈值电压模型,分析弛豫SiGe层的Ge组...
关键词：高斯掺杂 应变SI 阈值电压 
对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型被引量：3
《物理学报》2014年第14期389-394,共6页辛艳辉 刘红侠 王树龙 范小娇 
国家自然科学基金(批准号:61376099;11235008);教育部博士点基金(批准号:20130203130002;20110203110012)资助的课题~~
提出了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构,为该器件结构建立了全耗尽条件下的表面势模型、表面场强和阈值电压解析模型,并分析了应变对表面势、表面场强和阈值电压的影响,讨论了三栅长度比率对阈值电压和漏致...
关键词：应变硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 表面势 阈值电压 
非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET的二维解析模型
《物理学报》2013年第15期520-526,共7页辛艳辉 刘红侠 范小娇 卓青青 
国家自然科学基金(批准号:60936005;61076097);教育部博士点基金(批准号:20110203110012)资助的课题~~
为了进一步提高深亚微米SOI(Silicon-On-Insulator)MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的电流驱动能力,抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应,提出了非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET.在沟道源端一侧引入高掺杂H...
关键词：非对称Halo 异质栅 应变SI 短沟道效应 
应变PMOS二维阈值电压解析模型
《微电子学》2012年第3期415-419,共5页苏丽娜 周东 顾晓峰 
国家自然科学基金资助项目(11074280);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP20914;JUDCF10031)
利用准二维方法求解二维泊松方程,建立了锗硅源漏单轴应变PMOS阈值电压的二维解析模型,理论计算结果和实验报道的结果能很好吻合。研究了不同沟道长度和漏压情况下的沟道表面势,分析了沟道长度、漏压及锗硅源漏中锗摩尔组分等参数对阈...
关键词：PMOS 应变 锗硅源漏 阈值电压 二维解析模型 
亚100nm应变Si／SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型被引量：1
《物理学报》2011年第7期573-581,共9页王冠宇 张鹤鸣 王晓艳 吴铁峰 王斌 
国家部委资助项目(批准号:51308040203,6139801);中央高校基本科研业务费(批准号:72105499,72104089);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应,如短沟道效应,量子化效应等.通过将模型的计算结果与二维器件模拟器ISE的仿真结果...
关键词：亚lOOnm 应变Si/SiGe NMOSFET 二维表面势 阈值电压 
SOI RESURF器件高压互连线效应的二维解析模型
《南京邮电大学学报（自然科学版）》2008年第3期22-26,43,共6页郭宇锋 王志功 
中国博士后基金(20070411013);江苏省自然科学基金(BK2007605);江苏省高校自然科学基金(06KJB510077);南京邮电大学博士启动基金(NY205051)资助项目
高压互连线效应是影响集成功率器件性能的重要因素之一。首先提出一个高压互连线效应对SOI横向高压器件的漂移区电势和电场分布影响的二维解析模型,进而得到漂移区在不完全耗尽和完全耗尽情况下的器件击穿电压解析表达式,而后利用所建...
关键词：SOI高压互连线 电场分布 击穿电压 
异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第4期746-750,共5页栾苏珍 刘红侠 贾仁需 王瑾 
国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部新世纪优秀人才计划(批准号:681231366);国防预研基金(批准号:51308040103);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200701);教育部重点科技研究(批准号:104172)资助项目~~
在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移-扩散理论,在表面势模型的基础上,推导出新结构器件的亚阈值电流模型.为了求...
关键词：异质栅 SOI MOSFET 亚阈值电流 二维解析模型 
高k介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型被引量：7
《物理学报》2008年第6期3807-3812,共6页栾苏珍 刘红侠 贾仁需 蔡乃琼 
国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0851);国防预研究基金(批准号:51308040103)资助的课题~~
为了研究高介电常数(高k)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模型中考虑了各种主要因素的影响,包括不同介电常数材料的影响,...
关键词：异质栅 绝缘衬底上的硅 阈值电压 解析模型 
基于保角变换的片内互连线电容二维解析模型
《计算机辅助设计与图形学学报》2005年第12期2676-2684,共9页王颀 屠睿 邵丙铣 
通过保角变换严格推导了计入交叠电场贡献的有用电容元的解析表达式,在此基础上提出的互连线二维解析模型能够在一定的连线截面几何参数范围内取得精确的提取结果.实验证明,对于双线系统和多线系统,文中推导的解析模型的提取误差的均方...
关键词：二维互连线分析 电容提取 保角变换 
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