异质栅

作品数：16被引量：15H指数：2
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石墨烯纳米条带场效应管及构建电路研究
《通讯世界》2017年第9期151-151,共1页江洲 
本文提出一种源漏轻掺杂异质栅结构石墨烯纳米条带场效应晶体管Graphene Nano Ribbon Field-effect Transistor(HMG-LDDS-GNRFET),采用量子力学模型,研究其电学特性。仿真结果表明,与普通石墨烯纳米场效应晶体管(C-GNRFET)相比,HMG-LDDS...
关键词：源漏轻掺杂 异质栅 石墨烯 开关电流比 
异质栅氧化层石墨烯隧穿场效应管构建反相器
《通讯世界》2017年第9期264-265,共2页孙倩 
本文研究了不同结构的石墨烯纳米条带(GNR)隧道场效应晶体管(TFET)应用于反相器的性能。主要是在HSPICE中构建逻辑电路,并且基于Verilog-A模型的查找表进行的,主要比较了高K氧化层石墨烯隧穿场效应管(HKTINV)和异质氧化层石墨烯隧穿场...
关键词：石墨烯隧穿场效应管 异质氧化层 反相器 
欠叠异质栅纳米碳管场效应管的量子输运特性(英文)被引量：1
《计算物理》2015年第2期229-239,共11页王伟 张露 李娜 杨晓 张婷 岳工舒 
Supported by Natural Science Foundation of Higher Education in Jiangsu Province(10KJD510006)
采用量子力学模型,对欠叠栅对传统单质栅碳纳米管场效应管(简称C-CNTFET)和异质栅碳纳米管场效应管(简称HMG-CNTFET)电学特性的影响进行理论研究,该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)泊松方程自洽求解.仿真结果表明,C-CNTFET的截止频率...
关键词：碳纳米管场效应管 非平衡格林函数 欠叠栅 短沟道效应 异质栅 
采用有限元方法研究轻掺杂源漏结构对异质栅MOSFET的性能影响(英文)被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第4期321-329,共9页王伟 张露 王雪莹 朱畅如 张婷 李娜 杨晓 岳工舒 
提出了一种轻掺杂源漏结构结合异质材料双栅结构的MOSFET(简称LDDS-HMG-MOSFET)。使用二维非平衡格林函数(NEGF)对该结构进行仿真,其中非平衡格林函数的计算使用有限元法(FEM)。仿真结果表明,在该新型结构中,异质栅结构能够降低漏电流...
关键词：非平衡格林函数 异质栅场效应晶体管 有限元方法 轻掺杂源漏 
非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET的二维解析模型
《物理学报》2013年第15期520-526,共7页辛艳辉 刘红侠 范小娇 卓青青 
国家自然科学基金(批准号:60936005;61076097);教育部博士点基金(批准号:20110203110012)资助的课题~~
为了进一步提高深亚微米SOI(Silicon-On-Insulator)MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的电流驱动能力,抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应,提出了非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET.在沟道源端一侧引入高掺杂H...
关键词：非对称Halo 异质栅 应变SI 短沟道效应 
异质栅碳纳米管场效应管电学特性研究被引量：1
《微电子学》2013年第3期419-422,434,共5页王伟 任雨舟 陈将伟 夏春萍 李浩 郑丽芬 李金 杨恒新 李锐 
国家自然科学基金资助项目(60806027);江苏省高校自然科学研究面上项目资助(10KJD510005;10KJD510006)
采用一种量子力学模型,研究了类MOSFET型碳纳米管场效应管(CNTFET)的电流特性。该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)方程和泊松(Poisson)方程自洽全量子数值解。结合器件的工作原理,研究了器件结构尺寸效应,比较分析单栅、异质栅CNTFET...
关键词：碳纳米管场效应管 非平衡格林函数 异质栅 量子力学模型 
改进型异质栅对深亚微米栅长碳化硅MESFET特性影响
《物理学报》2012年第17期450-457,共8页宋坤 柴常春 杨银堂 贾护军 陈斌 马振洋 
国家杰出青年基金(批准号:60725415);国家部委预研项目(批准号:51308030201)资助的课题~~
基于器件物理分析方法,结合高场迁移率、肖特基栅势垒降低、势垒隧穿等物理模型,分析了改进型异质栅结构对深亚微米栅长碳化硅肖特基栅场效应晶体管沟道电势、夹断电压以及栅下电场分布的影响.通过与传统栅结构器件特性的对比表明,异质...
关键词：碳化硅 肖特基栅场效应晶体管 异质栅 短沟道效应 
22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
《半导体技术》2012年第3期184-187,共4页杨颖琳 胡成 朱伦 许鹏 朱志炜 张卫 吴东平 
国家科技重大专项(2009ZX02305-003);上海高校特聘教授(东方学者)岗位计划资助项目
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函...
关键词：异质栅 金属氧化物半导体场效应晶体管 热载流子效应 表面电场 表面势 漏致势垒降低效应 
异质栅全耗尽应变硅金属氧化物半导体模型化研究被引量：3
《物理学报》2012年第1期416-421,共6页曹磊 刘红侠 王冠宇 
国家自然科学基金(批准号:60976068;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:708083)资助的课题~~
为了进一步提高小尺寸金属氧化物半导体(MOSFET)的性能,在应变硅器件的基础上,提出了一种新型的异质栅MOSFEET器件结构.通过求解二维Poisson方程,结合应变硅技术的物理原理,建立了表面势、表面电场以及阈值电压的物理模型,研究了栅金属...
关键词：应变硅 异质栅 阈值电压 解析模型 
异质栅单Halo沟道SOI中隐埋层对器件特性的影响
《固体电子学研究与进展》2011年第1期48-52,共5页黄玮 钟传杰 
研究异质栅单Halo沟道SOI MOS器件的隐埋层中二维效应对器件特性,如电势分布、阈值电压等的影响,仿真结果表明,隐埋层中的二维效应会引起更明显的SCE及DIBL效应。在考虑隐埋层二维效应的基础上,提出了一个新的二维阈值电压模型,能较好...
关键词：异质栅 单Halo 绝缘体上的硅 二维效应 阈值电压 
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