表面势

作品数：120被引量：123H指数：5
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基于开尔文探针技术的磷酸铁锂表面势研究
《无机盐工业》2022年第11期65-70,共6页杨文宇 林志雅 付红 颜文悦 林建平 关贵清 
福建省自然科学基金项目(2020J05229);福建省量子调控与新能源材料重点实验室开放课题(QMNEM2010);宁德市指导性科技计划(20190001);福建省中青年教师教育科研项目(JAT200692);宁德师范学院引进人才科研项目(2018Y07)。
依托新颖的表面表征技术开尔文探针力显微镜(KPFM)获悉磷酸铁锂表面势的情况,以期深入研究锂离子在磷酸铁锂表面的动力学行为。研究结果表明,磷酸铁锂薄膜在常温下的功函数为5.38 eV,并且其功函数随着外界温度的上升而呈现出逐渐下降的...
关键词：锂离子电池 磷酸铁锂 表面功函数 
基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型被引量：1
《电子学报》2022年第5期1227-1233,共7页葛晨 李胜 张弛 刘斯扬 孙伟锋 
国家重点研发计划(No.2020YFF0218501);江苏省科技成果转化基金(No.BA2020027);东南大学至善学者(No.2238185478)。
为了满足功率电路及系统设计对p-GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件模型的需求,本文建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)模型.根据耗尽型Ga...
关键词：增强型 高级Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis模型 p-GaN栅 转移特性 输出特性 栅电容 栅电流 
宽带隙半导体SiC表面态研究
《固体电子学研究与进展》2020年第6期401-405,共5页朱靖 黄玲琴 夏马力 谷晓钢 
国家自然科学基金资助项目(62074071,61604063)。
基于表面态在禁带中均匀分布和分立离散分布两种假设,对碳化硅表面态计算方法进行了研究。然后通过氢等离子体对n型4H-SiC表面特性进行调控,系统研究了SiC表面特性及表面态密度的变化。用X射线光电子能谱对表面成分及其化学位移分析,结...
关键词：SIC 表面势 表面态 宽带隙 等离子体 
异步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管表面电势的解析模型
《中南大学学报（自然科学版）》2020年第9期2480-2488,共9页何伊妮 邓联文 甄丽营 覃婷 廖聪维 罗衡 黄生祥 
国家重点研发计划项目(2017YFA0204600);中南大学中央高校基本科研业务资助项目(2019zzts424)。
针对异步对称双栅结构的氧化铟镓锌(InGaZnO)薄膜晶体管(thin film transistors,TFTs),求解泊松方程,并根据载流子在亚阈区、导通区的不同分布特点,在亚阈区引入等效平带电压的概念,在导通区运用Lambert W函数近似,建立异步对称双栅InGa...
关键词：双栅薄膜晶体管 表面势 解析模型 铟镓锌氧化物 
横向应力场对原子尺度摩擦的调制被引量：3
《表面技术》2020年第1期187-193,220,共8页郭一伯 庞华 刘大猛 
国家自然科学基金(51527901,51575298,51705284,51705285)~~
目的探索横向应力场对原子尺度摩擦能量耗散的调制规律。方法采用微机械剥离方法制备单层至多层MoS2样品,利用光学显微镜、高波数拉曼光谱、低波数拉曼光谱精确确定MoS2的层数。通过原子力显微镜,对单层至多层MoS2进行原子尺度摩擦实验...
关键词：原子尺度摩擦 应力场调制 二维材料 PT模型 摩擦能量耗散 等效刚度 表面势垒 
基于小波分析的一种MQ系列气体传感器数据处理方法被引量：1
《内燃机与配件》2018年第5期236-239,共4页冯云飞 
MQ系列气体传感器是工程上测试气体浓度的一种常用传感器。由于该系列传感器采用金属氧化物半导体作为敏感材料,需要进行加热才能激发电子跃升得到表面势垒,并通过氧化还原反应最终得到被测气体浓度,加热量没达到要求,会严重影响测试精...
关键词：MQ系列气体传感器 加热 表面势垒 小波分析 
基于表面势的碳化硅基VDMOS器件模型
《东南大学学报（自然科学版）》2018年第1期13-18,共6页李秀军 刘斯扬 李胜 孙伟锋 
国家自然科学基金资助项目(61604038;61674030);江苏省自然科学基金资助项目(BK20160691)
为了满足功率电路及系统设计对碳化硅基垂直双注入金属氧化物半导体晶体管(VDM OS)模型的需求,建立了一套基于表面势计算方法的可描述碳化硅基VDM OS器件电学特性的模型.模型包括静态部分与动态部分.静态部分不仅分别针对沟道区、积累...
关键词：表面势模型 碳化硅基 VDMOS 阈值电压偏移 界面态 
全耗尽SOI MOSFET亚阈值表面势的二维半解析模型被引量：1
《中国科学技术大学学报》2018年第1期75-81,共7页常红 孙桂金 杨菲 柯导明 
国家自然科学基金(61376098;61076086)资助
根据SOI MOSFET的工作原理,在SOI MOSFET的氧化层、耗尽层和埋氧化层分别引入矩形等效源,提出了电势二维分布的定解问题.再通过半解析法、傅里叶级数展开法和积分法相结合对每个区域的定解问题进行求解,得到了定解问题的二维半解析解,...
关键词：SOI MOSFE 短沟道效应 电势 半解析模型 
砷化镓光电阴极光谱响应与吸收率关系分析被引量：1
《物理学报》2017年第22期282-288,共7页赵静 余辉龙 刘伟伟 郭婧 
国家自然科学基金(批准号:61701220;61704075;61771245);江苏省高等学校自然科学研究项目(批准号:17KJB510023);南京工程学院基础研究专项基金(批准号:JCYJ201614)资助的课题~~
为了研究砷化镓(GaAs)光电阴极光谱响应与吸收率曲线间的关系,采用分子束外延法(MBE)和金属有机化合物化学气相沉积法(MOCVD)制备了两类GaAs光电阴极,并测试得到了样品吸收率和光谱响应实验曲线.对每个样品的这两条曲线在同一坐标系中...
关键词：光电子材料 砷化镓光电阴极 表面势垒 红移 
梯度掺杂GaN光电阴极的光谱响应测试与分析
《量子电子学报》2017年第1期99-105,共7页李飙 常本康 陈文聪 
国家自然科学基金;61171042~~
用光谱响应测试仪得到了反射式梯度掺杂GaN光电阴极在激活和衰减过程中的光谱响应曲线,发现此曲线不断发生变化。在激活过程中光谱响应不断提高,且长波响应提高较快;衰减过程中光谱响应不断下降,长波响应下降得更快。结果表明:光谱响应...
关键词：光电子学 光谱响应曲线 氮化镓 光电阴极 电子能量分布 表面势垒 
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