栅电容

作品数：18被引量：13H指数：2
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基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型被引量：1
《电子学报》2022年第5期1227-1233,共7页葛晨 李胜 张弛 刘斯扬 孙伟锋 
国家重点研发计划(No.2020YFF0218501);江苏省科技成果转化基金(No.BA2020027);东南大学至善学者(No.2238185478)。
为了满足功率电路及系统设计对p-GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件模型的需求,本文建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)模型.根据耗尽型Ga...
关键词：增强型 高级Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis模型 p-GaN栅 转移特性 输出特性 栅电容 栅电流 
考虑量子效应的FinFET栅电容物理模型研究
《微电子学与计算机》2019年第8期30-33,共4页高歌 殷树娟 于肇贤 
国家自然科学基金资助项目(61604014);北京市教委科技面上项目(71E1810981)
基于FinFET栅电容结构微观物理特性原理.通过能带结构关系推导了考虑量子效应的栅电容物理模型公式,使用TCAD搭建了FinFET器件结构.通过MATLAB仿真出栅电容随栅电压变化的特性曲线,与理想状态对比得到在反型状态量子效应会使栅电容增大...
关键词：FINFET 量子效应 栅电容 物理模型 
纳米尺寸AlGaN/GaN MIS-HEMT的栅电容模型
《钦州学院学报》2019年第3期38-41,54,共5页朱兆旻 刘顺 罗俊琦 
AlGaN/AlN/GaN金属-绝缘层-半导体高电子迁移率器件(MIS-HEMT)的栅电容模型是基于对GaN界面二维电子气(2DEG)浓度n_s的公式推导,求解过程中采用牛顿-拉夫逊迭代法并给出了近似的解析解。模型中的二维电子气浓度同数值模拟结果进行了比较...
关键词：HEMT 费米能级 C-V特性 高电子迁移率晶体管 二维电子气 
单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型
《物理学报》2015年第6期345-350,共6页吕懿 张鹤鸣 胡辉勇 杨晋勇 殷树娟 周春宇 
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004)资助的课题~~
电容特性模型是单轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和电路进行瞬态分析、交流小信号分析、噪声分析等的重要基础.本文首先建立了单轴应变Si NMOSFET的16个微分电容模型,并将微分电容的仿真结果与实验结果进行了比较,验...
关键词：单轴应变Si 微分电容 栅电容 
大功率PSM发射机高末帘栅电容维护
《现代商贸工业》2015年第2期159-160,共2页郭兴安 
理论联系实际,具体提出了维护大功率PSM发射机关键元器件高末帘栅薄膜电容的维护方案,供维护技术人员参考。
关键词：高末帘栅薄膜电容 维护 
应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究
《物理学报》2013年第12期430-436,共7页王斌 张鹤鸣 胡辉勇 张玉明 宋建军 周春宇 李妤晨 
模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:P140c090303110c0904);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本科研业务费(批准号:K5051225014;K5051225004)~~
由于台阶的出现,应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同,且受沟道掺杂的影响严重.本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的工作机理及其栅电容C-V特性中台阶形成机理的基础上,通过求解...
关键词：应变 SIGE PMOSFET 栅电容特性 台阶效应 沟道掺杂 
部分重叠双栅MOSFET特性的研究
《安徽大学学报（自然科学版）》2012年第2期43-47,共5页韩名君 赵阳 柯导明 
国家自然科学基金资助项目(61076086);安徽省科技计划基金资助项目(2008307);安徽省自然科学基金资助项目(KJ2010B472);东南大学MEMS重点实验室开放基金资助项目
研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电...
关键词：部分重叠双栅 分裂双栅 短沟效应 栅电容 沟道表面电场 
Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响被引量：2
《物理学报》2011年第7期547-552,共6页杨洲 王茺 王洪涛 胡伟达 杨宇 
国家自然科学基金(批准号:10964016,60567001);教育部科学技术研究重点项目(批准号:210207);云南省自然基金重点项目(批准号:2008CC012)资助的课题~~
利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压...
关键词：应变Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 空穴迁移率 栅电容 
非晶硅薄膜晶体管基于表面势的栅电容模型
《微电子学》2011年第2期304-309,共6页刘远 姚若河 李斌 
国家自然科学基金资助项目(60776020);广东工业大学博士启动项目(4051105006)
基于Lambert W函数,推导出非晶硅薄膜晶体管表面势的解析解,并将其与泊松方程的数值解进行对比。结果显示:该求解大大提高了计算效率,且精确度极高。基于有效温度近似,并利用所求解到的表面势,建立器件的栅电容模型。该模型可连续、准...
关键词：非晶硅薄膜晶体管 栅电容 表面势 
多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型被引量：2
《液晶与显示》2011年第2期178-182,共5页邓婉玲 
广东高校优秀青年创新人才培养计划(育苗工程)(No.LYM10032)
多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大。基于Meyer模型,考虑了泄漏产生效应和kink效应,对多晶硅薄膜晶体管的栅漏电容和栅源电容特性进行了建模研究。对实验数据进...
关键词：多晶硅薄膜晶体管 栅漏电容 栅源电容 模型 
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