云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- P-MOSFET

P-MOSFET: 作品数：25被引量：23H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘军杨宇杨洲王茺胡伟达更多>>; 相关机构：云南大学杭州电子科技大学中国科学院清华大学更多>>; 相关期刊：《微电子学》《红外与毫米波学报》《电子质量》《信息化研究》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金云南省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目国家教育部博士点基金更多>>

Back-side stress to ease p-MOSFET degradation on e-MRAM chips: 《Chinese Physics B》2024年第12期482-486,共5页Zhi-Meng Yu Xiao-Lei Yang Xiao-Nan Zhao Yan-Jie Li Shi-Kun He Ye-Wu Wang; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.51672246);the National Key Research and Development Program of China(Grant Nos.2017YFA0304302 and 2020AAA0109003);the Key Research and Development Program of Zhejiang Province,China(Grant No.2021C01002)。; The magnetoresistive random access memory process makes a great contribution to threshold voltage deterioration of metal-oxide-silicon field-effect transistors,especially on p-type devices.Herein,a method was proposed...; 关键词：back-side stress metal-oxide-silicon field-effect transistor(MOSFET) magnetoresistive random access memory(MRAM) threshold voltage

一种具有变深槽电容的横向功率p-MOSFET: 《微电子学》2021年第5期712-716,共5页程骏骥武世英陈为真李欢杨洪强; 中国博士后科学基金资助项目(2020M683286);四川省科技计划资助项目(2021YJ0373)。; 提出了一种含介质深槽的横向p沟道功率MOSFET(p-MOSFET)。深槽内填充了线性组合的高介电常数(high-k)介质和二氧化硅,以调变寄生的深槽电容(C_(DT)),使C_(DT)充电电荷增大且使该充电电荷沿纵向接近均匀分布。在深槽一侧,通过提高p型漂...; 关键词：深槽 P-MOSFET high-k介质电荷补偿

基于低频噪声检测的电力MOSFET可靠性分析被引量：8: 《半导体技术》2018年第1期75-80,共6页樊欣欣杨连营陈秀国; 国家自然科学基金资助项目(61271115); 针对变电所中通信电源的核心器件电力金属氧化物半导体场效应晶体管（power MOSFET,P-MOSFET）在大功率、强电流下易损坏、故障率高,直接影响电力通信业务的安全稳定运行的问题,提出了一种基于低频噪声检测的可靠性分析方法。利用互功...; 关键词：电力金属氧化物半导体场效应晶体管(P-MOSFET) 可靠性分析阈值筛选低频噪声检测功率谱密度

应变SiGe SOIp-MOSFET材料的特性及应用: 《中国科技信息》2017年第16期97-97,99,共2页赵智超吴铁峰; 佳木斯大学博士基金项目(项目编号:22Zb201516); 随着制备应变SiGe 材料的技术更加先进,工艺手段更加成熟,以及对应变SiGe 材料的认识更加透彻,人们对应变SiGe 材料的研究更加重视,希望其为更高水平的电路发展奠定基础.同时应变SiGe 材料在军事领域有极大的应用前景和发展空间,这将会...; 关键词：SIGE 应变材料应用特性军事领域国防事业

绝缘层上Si/应变Si_(1-x)Ge_x/Si异质结p-MOSFET电学特性二维数值分析: 《红外与毫米波学报》2015年第2期172-176,共5页杨洲王茺于杰胡伟达杨宇; 国家自然科学基金(10964016);红外物理国家重点实验室开放课题~~; 对绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性进行二维数值分析,研究了该器件的阈值电压特性、转移特性、输出特性.模拟结果表明,随着应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分增大,器件的阈值电压向正方向偏移,转移特性增强;当偏置条件一...; 关键词：应变Si1-xGex沟道 P-MOSFET 阈值电压扭结

一种简易直流电子负载的设计被引量：3: 《湖北民族学院学报（自然科学版）》2014年第2期203-205,221,共4页杨永超谭晓娥刘晓妤; 湖北省教育厅B类项目(B2013076); 针对电源设备或化学电池的测试需要,以STM32F103单片机为控制核心,外围采用16位A/D、12位D/A以及功率MOSFT设计了一种简易的高精度直流电子负载.测试结果表明,该系统测试时间短、精度高、运行稳定可靠.; 关键词：直流电子负载 STM32F103 恒流模式 P-MOSFET

绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析被引量：1: 《红外与毫米波学报》2013年第4期304-308,共5页于杰王茺杨洲陈效双杨宇; 国家自然科学基金(10990103;11274266);教育部科学研究重点项目(210207);云南省自然基金重点项目(2008CC012)~~; 利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SOI p-MOSFET相比,SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍；其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金...; 关键词：SGOI P-MOSFET Ge合金组分

温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响被引量：3: 《人工晶体学报》2013年第5期875-879,885,共6页于杰王茺杨洲胡伟达杨宇; 国家自然科学基金(10990103;11274266);教育部科学技术研究重点(210207);云南省自然基金重点资助项目(2008CC012); 本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性。结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小;亚阈值电流略有增大;亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性...; 关键词：温度应变SiGe沟道 P-MOSFET 自热效应

Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响被引量：2: 《物理学报》2011年第7期547-552,共6页杨洲王茺王洪涛胡伟达杨宇; 国家自然科学基金(批准号:10964016,60567001);教育部科学技术研究重点项目(批准号:210207);云南省自然基金重点项目(批准号:2008CC012)资助的课题~~; 利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压...; 关键词：应变Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 空穴迁移率栅电容

基于P-MOSFET的低压差稳压电源的研究: 《信息化研究》2010年第12期62-64,共3页杨超; 低压差稳压电源以低功耗、高效率、低噪声、低干扰、体积小、重量轻等显著特点,深受人们的青睐,本文首先介绍了基于P-MOSFET的低压差稳压电路的工作原理,并通过分析运放的增益曲线说明系统的稳定性。接下来介绍了一种低压差稳压电路的...; 关键词：P-MOSFET 低压差噪声

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