多晶硅薄膜晶体管

作品数：75被引量：88H指数：4
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一种补偿阈值电压和迁移率变化的像素电路设计
《智能计算机与应用》2019年第5期13-16,24,共5页黄勇 关肖飞 张立文 李月华 王新林 何红宇 
超快微纳技术与激光先进制造湖南省重点实验室(2018TP1041)支持;湖南省自然科学基金(2019JJ40246);衡阳市科技局科学研究项目(2016KG75);湖南省研究生科研创新项目资助(CX20190735)
本文通过对数据输入阶段的时序进行调整,改进了一种适用于低温多晶硅薄膜晶体管的电压编程型像素电路,用来得到稳定的驱动电流。该像素电路由4个开关薄膜晶体管,1个驱动薄膜晶体管,2个电容和2条控制线组成。理论分析表明,该电路不仅能...
关键词：像素电路 多晶硅薄膜晶体管 阈值电压 迁移率 
激光晶化能量对多晶硅薄膜晶体管特性影响的研究
《电子技术与软件工程》2016年第13期125-127,共3页江朝庆 
本文利用准分子激光晶化技术制备了低温多晶硅薄膜晶体管,研究了不同激光晶化能量密度对多晶硅薄膜晶粒尺寸以及器件电学特性的影响。为了进一步阐释激光晶化能量密度对多晶硅薄膜晶体管特性产生影响的原因,通过二维器件仿真拟合了多晶...
关键词：激光晶化 能量密度 多晶硅薄膜晶体管 缺陷态 器件仿真 
搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的退化行为与退化机制研究被引量：1
《液晶与显示》2015年第2期187-193,共7页张猛 夏之荷 周玮 陈荣盛 王文 郭海成 
香港研究资助局主题研究计划项目(No.T23-713/11-1)
研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅TFT相比,BG多晶硅TFT展现出更好的直流应力可靠性。主要体现在BG多晶硅TFT拥有更好的直流负偏压温度不稳定性(NBTI)可靠性,更好的直流自加热(...
关键词：搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管 负偏压温度不稳定性 自加热 热载流子 
Poly-Si TFT弱反型区表面势分布研究
《山西大学学报（自然科学版）》2014年第1期86-90,共5页朱臻 
研究了弱反型时多晶硅薄膜晶体管表面势的分布。考虑到弱反型时,沟道势对表面势的影响可忽略,利用一维泊松方程,得到相应沿沟道方向任一点的表面势模型。通过将基于此模型的表面势二维分布与二维器件仿真结果进行比较,发现弱反型时,其...
关键词：多晶硅薄膜晶体管 弱反型区 表面势 二维分布 
搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管被引量：1
《液晶与显示》2013年第4期471-478,共8页郭海成 周玮 陈荣盛 赵淑云 张猛 王文 陈树明 周南云 
香港研究资助局主题研究计划项目(No.T23-713/11-1)
提出了一种薄膜晶体管的新结构。这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点。通过器件模拟,验证了此种器件结构的物理机制。通过应用这种新结构,薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善,并且...
关键词：搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管 
镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管
《液晶与显示》2012年第3期303-307,共5页彭尚龙 胡多凯 贺德衍 
国家自然科学基金青年项目(No.61106006);中央高校基本科研业务费专项基金
提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性...
关键词：镍硅化物 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜晶体管 
基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型
《华南理工大学学报（自然科学版）》2012年第3期64-68,125,共6页严炳辉 李斌 姚若河 吴为敬 
国家自然科学基金资助项目(60776020);国际合作项目(B14D8061610);华南理工大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(x2clD2104790)
基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多...
关键词：多晶硅 薄膜晶体管 电流模型 离散晶界 表面势 有效迁移率 
AMOLED像素电路的设计与仿真研究被引量：3
《电子器件》2011年第5期550-554,共5页沈匿 林祖伦 陈文彬 祁康成 王小菊 杨隆杰 
2010年度中央高校基本科研业务基金(ZYGX2010J062)
为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各参数对其输出特性的影响,同时给出了参数设计的方法。最后从延长OLED的使用寿命出发,对电路进行了改进并...
关键词：AMOLED 四管像素驱动电路 仿真 阈值电压漂移 多晶硅薄膜晶体管 
多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展
《暨南大学学报（自然科学与医学版）》2011年第5期528-533,共6页黄君凯 刘璐 邓婉玲 
教育部科学技术研究重点项目(211206);中央高校基本科研业务费项目(21611422);广东高校优秀青年创新人才培养计划(育苗工程)项目(LYM10032)
随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速.对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究,必须建立在准确的晶界带隙能态分布信息的基础上...
关键词：多晶硅薄膜晶体管 模型 晶界带隙能态 
单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管的二维器件仿真被引量：1
《光电子技术》2011年第3期157-161,共5页邓婉玲 黄君凯 
教育部科学技术研究重点项目(211206);中央高校基本科研业务费专项资金资助(21611422);广东高校优秀青年创新人才培养计划(育苗工程)项目(LYM10032)
二维器件仿真是揭示半导体器件物理机理的有效途径。首先利用二维器件仿真工具构建单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管(TFT),并完整地考虑晶界陷阱态的分布规律,即指数分布的带尾态和禁带中央高斯分布的深能态。同时,改变晶界陷阱密度、多晶硅...
关键词：多晶硅薄膜晶体管 二维器件仿真 陷阱态密度 
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